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1、畢業(yè)設(shè)計(論文)外文翻譯畢業(yè)設(shè)計(論文)外文翻譯題目(外文):validationtestingofdesignhardeningfsingleeventeffectsusingthe8051microcontroller題目(中文):使用8051單片機驗證和測試單粒子效應(yīng)的設(shè)計一、中文摘要及關(guān)鍵詞一、中文摘要及關(guān)鍵詞摘要摘要:隨著專門抗輻射加固設(shè)計的制造加工廠的減少,為了加固設(shè)計使用非專用代工業(yè)務(wù)的新技術(shù)逐步發(fā)展起來。在這篇論文中,我
2、們將討論單粒子效應(yīng)(SEE)在空間環(huán)境中的驗證方法。課題包括需要測試的類型和設(shè)計范圍(即他們是否需要驗證設(shè)計庫的每個應(yīng)用程序?)。最后,根據(jù)美國航天局的先進(jìn)微電子研究所(IAμE)的CMOS超低功耗輻射容錯技術(shù)(CULPRiT)設(shè)計的8051單片機核心被評價為相當(dāng)于兩個8051工業(yè)用設(shè)備的單粒子緩和技術(shù)。索引詞索引詞:單粒子效應(yīng),加固設(shè)計,微控制器,輻射效應(yīng)。二、外文摘要及關(guān)鍵詞二、外文摘要及關(guān)鍵詞ABSTRACTABSTRACT:Wi
3、ththedearthofdedicatedradiationhardenedfoundriesnewnoveltechniquesarebeingdevelopedfhardeningdesignsusingnondedicatedfoundryservices.Inthispaperwewilldiscusstheimplicationsofvalidatingthesemethodsfthesingleeventeffects(S
4、EE)inthespaceenvironment.Topicsincludethetypesofteststhatarerequiredthedesigncoverage(i.e.designlibraries:dotheyneedvalidatingfeachapplication).Finallyan8051microcontrollercefromNASAInstituteofAdvancedMicroelectronics(IA
5、μE)CMOSUltraLowPowerRadiationTolerant(CULPRiT)designisevaluatedfSEEmitigativetechniquesagainsttwocommercial8051devices.KEYWDSKEYWDS:SingleEventEffectsHardenedByDesignmicrocontrollerradiationeffects.三、譯文正文三、譯文正文由于性能的不斷提高和
6、功耗的不斷降低,微控制器在美國航天局和國防部的系統(tǒng)設(shè)計上的應(yīng)用正越來越多。現(xiàn)在,美國航天局和國防部計劃正在不斷地改進(jìn)固化設(shè)計。微控制器是一個這樣的工具,正在深入量化抗輻射固化的改進(jìn)。這些計劃的實例是Mission研究公司(MRC)與高級微電子研究所(這項研究的重點)所研制的8051微控制器。在自然空間輻射環(huán)境中,由于這些固化工藝的使用,美國宇航局在航天飛行中系統(tǒng)中使用驗證技術(shù)成為必要。8051單片機是一個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)架構(gòu),被廣泛接受和應(yīng)用,
7、并作為一種開發(fā)工具。有許多工業(yè)供應(yīng)商,他們供應(yīng)這種控制器或把這種控制器集成到某種類型的系統(tǒng)芯片的結(jié)構(gòu)。醫(yī)學(xué)研究理事會和高級微電子研究所都選擇這個設(shè)備,但他們論證的是兩種截然不同固化設(shè)計。醫(yī)學(xué)研究理事會的實例是使用時間鎖存,需要具體時間以確保單粒子效應(yīng)減少到最低限度。高級微電子研究所采用超低功耗,以及布局和建筑固化設(shè)計的設(shè)計原則來實現(xiàn)其結(jié)果。這些是與Aeroflex聯(lián)合技術(shù)微電子中心(UTMC)完全不同的方法,抗輻射固化的8051的工業(yè)供
8、應(yīng)商,利用抗輻射固化進(jìn)程研制自己的8051單片機。4、測試裝置、測試裝置這一試驗的評價使用了三款器件。首先是美國航天局的設(shè)備,這是進(jìn)行評估主要設(shè)備。其他兩個設(shè)備是兩種版本的商業(yè)8051,分別由英特爾公司和美國達(dá)拉斯半導(dǎo)體制造。英特爾的設(shè)備是無存儲器型,這是經(jīng)典的8052MCS51單片機電路版。他們工作環(huán)境是額定電壓5伏,溫度范圍在0至70C,時鐘頻率為3.5兆赫至24兆赫。他們由英特爾P629.0CHMOSIIIE進(jìn)程制造的。達(dá)拉斯半導(dǎo)
9、體器件都很相似因為他們都是ROMless8052單片機,但他們加強方式不同。他們的額定電壓從4.25至5.5溫度在0到70C時鐘頻率高達(dá)25兆赫。第二次全內(nèi)置串口,增設(shè)七個中斷,一個看門狗定時器,一個掉電復(fù)位,雙數(shù)據(jù)指針和變速外設(shè)訪問。此外,重新設(shè)計技術(shù)核心,最終使該機器周期縮短,從而得到有效的處理能力,這大約是2.5倍(快)比標(biāo)準(zhǔn)的8052器件。不同于器件工作所固有的功能,這些功能沒有被利用是為了達(dá)拉斯和英特爾的測試代碼最大限度地相似
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