2007半導(dǎo)體期末考試試卷-zhujun

1、學(xué)院姓名學(xué)號(hào)任課老師選課號(hào)………密………封………線………以………內(nèi)………答………題………無………效……第1頁共6頁電子科技大學(xué)二零零電子科技大學(xué)二零零六至二零零至二零零七學(xué)年第學(xué)年第一學(xué)期期學(xué)期期末考試考試一、選擇填空（含多選題）一、選擇填空（含多選題）（220=220=40分）分）1、鍺的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（C）。A.金剛石型和直接禁帶型B.閃鋅礦型和直接禁帶型C.金剛石型和間接禁帶型D.閃鋅礦型和間接禁帶型2、簡(jiǎn)并半導(dǎo)體是指（

2、A）的半導(dǎo)體。A、(ECEF)或(EFEV)≤0B、(ECEF)或(EFEV)≥0C、能使用玻耳茲曼近似計(jì)算載流子濃度D、導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂能容納多個(gè)狀態(tài)相同的電子3、在某半導(dǎo)體摻入硼的濃度為1014cm3磷為1015cm3，則該半導(dǎo)體為（B）半導(dǎo)體；其有效雜質(zhì)濃度約為（E）。A.本征，B.n型，C.p型，D.1.11015cm3E.91014cm34、當(dāng)半導(dǎo)體材料處于熱平衡時(shí)，其電子濃度與空穴濃度的乘積為（B），并且該乘積和（E、F）有關(guān)

3、，而與（C、D）無關(guān)。A、變化量；B、常數(shù)；C、雜質(zhì)濃度；D、雜質(zhì)類型；E、禁帶寬度；F、溫度5、在一定溫度下，對(duì)一非簡(jiǎn)并n型半導(dǎo)體材料，減少摻雜濃度，會(huì)使得（C）靠近中間能級(jí)Ei；如果增加摻雜濃度，有可能使得（C）進(jìn)入（A），實(shí)現(xiàn)重?fù)诫s成為簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。A、Ec；B、Ev；C、EF；D、Eg；E、Ei。67、如果溫度升高，半導(dǎo)體中的電離雜質(zhì)散射概率和晶格振動(dòng)散射概率的變化分別是（C）。A、變大，變大B、變小，變小C、變小，變大D、變大，

4、變小8、最有效的復(fù)合中心能級(jí)的位置在（D）附近，最有利于陷阱作用的能級(jí)位置位于（C）附近，并且常見的是（E）陷阱。A、EAB、EBC、EFD、EiE、少子F、多子9、一塊半導(dǎo)體壽命τ=15s，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30s后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（C）。A、14B、1eC、1e2D、1210、半導(dǎo)體中載流子的擴(kuò)散系數(shù)決定于該材料中的（A）。學(xué)院姓名學(xué)號(hào)任課老師選課號(hào)………密………封………線………以………內(nèi)…

5、……答………題………無………效……第3頁共6頁另外：（2分）0exp()exp()exp()FViFBpViiEEEEqVpNnnKTKTKT???????比較上面兩個(gè)式子，可知VS=2VB飽和電離時(shí)，Pp0=NA即：（1分）exp()2SAiqVNnKT?故：（1分）22lnAsBiNKTVVqn??三、簡(jiǎn)答題（32分）1、解釋什么是Schottky接觸和歐姆接觸，并畫出它們相應(yīng)的IV曲線？（8分）答：金屬與中、低摻雜的半導(dǎo)體材料接觸

6、，在半導(dǎo)體表面形成多子的勢(shì)壘即阻擋層，其厚度并隨加在金屬上的電壓改變而變化，這樣的金屬和半導(dǎo)體的接觸稱為Schottky接觸。（2分）金屬和中、低摻雜的半導(dǎo)體材料接觸，在半導(dǎo)體表面形成多子的勢(shì)阱即反阻擋層，或金屬和重?fù)诫s的半導(dǎo)體接觸，半導(dǎo)體表面形成極薄的多子勢(shì)壘，載流子可以隧穿過該勢(shì)阱，形成隧穿電流，其電流－電壓特性滿足歐姆定律。（2分）IIVVSchottky勢(shì)壘接觸的IV特性歐姆接觸的IV特性（2分）（2分）2、試畫出n型半導(dǎo)體構(gòu)成