電子科技大學半導體物理期末考試試卷a試題答案

1、學院姓名學號任課老師選課號座位號………密………封………線………以………內(nèi)………答………題………無………效……第1頁共10頁電子科技大學二零電子科技大學二零九至二零至二零一零一零學年第學年第一學期期學期期末考試考試半導體物理課程考試題A卷（120分鐘）考試形式：閉卷考試日期2010年元月18日課程成績構(gòu)成：平時10分，期中5分，實驗15分，期末70分一二三四五六七八九十合計復核人簽名得分簽名一、選擇題（共25分，共25題，每題1分）1、本

2、征半導體是指（A）的半導體。A.不含雜質(zhì)和缺陷B.電阻率最高C.電子密度和空穴密度相等D.電子密度與本征載流子密度相等2、如果一半導體的導帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為零，那么該半導體必定（D）。A.不含施主雜質(zhì)B.不含受主雜質(zhì)C.不含任何雜質(zhì)D.處于絕對零度3、對于只含一種雜質(zhì)的非簡并n型半導體，費米能級EF隨溫度上升而（D）。A.單調(diào)上升B.單調(diào)下降C.經(jīng)過一個極小值趨近EiD.經(jīng)過一個極大值趨近Ei4、如某材料電阻率隨溫度上升而先下降后上升

3、，該材料為（C）。A.金屬B.本征半導體C.摻雜半導體D.高純化合物半導體5、公式中的是半導體載流子的（C）。mq????A.遷移時間B.壽命C.平均自由時間D.擴散時間6、下面情況下的材料中，室溫時功函數(shù)最大的是（A）得分學院姓名學號任課老師選課號座位號………密………封………線………以………內(nèi)………答………題………無………效……第3頁共10頁（A）。A、【100】B、【111】C、【110】D、【111】或【110】14、簡并半導體是

4、指（A）的半導體。A、(ECEF)或(EFEV)≤0B、(ECEF)或(EFEV)≥0C、能使用玻耳茲曼近似計算載流子濃度D、導帶底和價帶頂能容納多個狀態(tài)相同的電子15、在硅基MOS器件中，硅襯底和SiO2界面處的固定電荷是（B），它的存在使得半導體表面的能帶（C），在CV曲線上造成平帶電壓（F）偏移。A、鈉離子B、過剩的硅離子C、向下D、向上E、向正向電壓方向；F、向負向電壓方向二、填空題（共15分，共15空，每空1分）1、硅的導帶極

5、小值位于布里淵區(qū)的＜100100＞方向上，根據(jù)晶體的對稱性共有6個等價能谷。2、n型硅摻砷后，費米能級向Ec(Ec(上)移動，如升高材料的工作溫度，則費米能級向Ei(Ei(下)移動。3、對于導帶為多能谷的半導體，如GaAs，當能量適當高的子能谷的曲率較小時，有可能觀察導負微分電導現(xiàn)象，這是因為這種子能谷中的電子的有效質(zhì)量較大。4、復合中心的作用是促進電子和空穴的復合，起有效的復合中心的雜質(zhì)能級必須位于EiEi（禁帶中線）（禁帶中線），并

6、且對電子和空穴的俘獲系數(shù)rn和rp必須滿足rn＝rp。5、熱平衡條件下，半導體中同時含有一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)情況下的電中性條件是＿p0nnD=n=n0ppA。6、金半接觸時，常用的形成歐姆接觸的方法有＿隧道效應隧道效應和＿反阻擋層＿反阻擋層7、MIS結(jié)構(gòu)的表面發(fā)生強反型時，其表面的導電類型和體材料的導電類型＿相反相反（相同或相反），若增加摻雜濃度，其開啟電壓將＿增加增加（增加或減?。?、在半導體中，如果溫度升高，則考慮對載流子的