半導(dǎo)體fab里基本的常識簡介

1、CVD晶圓制造廠非常昂貴的原因之一，是需要一個無塵室，為何需要無塵室答：由于微小的粒子就能引起電子組件與電路的缺陷何謂半導(dǎo)體Is#Nv8Y!H3a8q4a1R0W答：半導(dǎo)體材料的電傳特性介于良導(dǎo)體如金屬(銅、鋁，以及鎢等)和絕緣和橡膠、塑料與干木頭之間。最常用的半導(dǎo)體材料是硅及鍺。半導(dǎo)體最重要的性質(zhì)之一就是能夠藉由一種叫做摻雜的步驟刻意加入某種雜質(zhì)并應(yīng)用電場來控制其之導(dǎo)電性。常用的半導(dǎo)體材料為何uk9`D1v1U#f5[7G答：硅(Si

2、)、鍺(Ge)和砷化家(AsGa):jz$X0wo4D何謂VLSIb5wM#b@8g3P.G答：VLSI(VeryLargeScaleIntegration)超大規(guī)模集成電路5E3U8@tf9[答：做為金屬層之間的隔離何謂PMD(PreMetalDielectric)答：稱為金屬沉積前的介電質(zhì)層，其界于多晶硅與第一個金屬層的介電質(zhì)5|3X.M$oT8YN7l5qb何謂IMD(InterMetalDielectric)9u9j4F1U!Q

3、“j%y7OQ“mNb答：金屬層間介電質(zhì)層。1X8gqa0h3k4r“X$l.l何謂USG答：未摻雜的硅玻璃(UndopedSilicateGlass):u0F0d!AMU(wQ何謂FSG答：摻雜氟的硅玻璃(FluinatedSilicateGlass)何謂BPSGD8Y.P)X二氧化硅其K值為3.9表示何義(Y!@1J!XPb_$g答：表示二氧化硅的介電質(zhì)常數(shù)為真空的3.9倍6H9vO5UU“R9w!o$`氟在CVD的工藝上，有何應(yīng)用

4、答：作為清潔反應(yīng)室(Chamber)用之化學(xué)氣體4Z其中包含電子正離子負(fù)離子中性分子活性基及發(fā)散光子等產(chǎn)生電漿的方法可使用高溫或高電壓.3QJ6H1j69J0w)u何謂干式蝕刻答：利用plasma將不要的薄膜去除何謂Underetching(蝕刻不足)0ek7Z1s3L:g答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應(yīng)被去除的薄膜仍有殘留#Q何謂Overetching(過蝕刻)$iFT!_x]^i4w2P#B答：將晶圓表面的水份去除)WR4

5、w:J4@列舉目前Wetbenchdry方法:Mk2]y答：(1)SpinDryer(2)Marangonidry(3)IPAVapDry何謂SpinDryer2](o[0oZ答：利用離心力將晶圓表面的水份去除何謂MaragoniDryer2~:r$i“c7pB答：利用表面張力將晶圓表面的水份去除7Y“_4wB$t`Y5K(Uu$U金屬蝕刻機(jī)臺轉(zhuǎn)非金屬蝕刻機(jī)臺時應(yīng)如何處理答：清機(jī)防止金屬污染問題金屬蝕刻機(jī)臺Asher的功用為何答：去光阻