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1、試卷結(jié)構(gòu):試卷結(jié)構(gòu):一、選擇題(每小題一、選擇題(每小題2分,共分,共30分)分)二、填空題二、填空題(每空每空2分,共分,共30分)三、簡(jiǎn)答題(三、簡(jiǎn)答題(2小題,共小題,共20分)分)四、計(jì)算與證明題(每小題四、計(jì)算與證明題(每小題10分,共分,共20分)分)計(jì)算1題(需要計(jì)算器),證明1題第二章半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)2.1硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)基本概念:施主雜質(zhì),受主雜質(zhì),雜質(zhì)的電離能,雜質(zhì)的補(bǔ)償作用。2.2Ⅲ—Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)
2、能級(jí)雜質(zhì)的雙性行為第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布熱平衡載流子概念3.1狀態(tài)密度定義式:;()gEdzdE?導(dǎo)帶底附近的狀態(tài)密度:;????321232()4nccmgEVEEh???價(jià)帶頂附近的狀態(tài)密度:????321232()4pvVmgEVEEh???3.2費(fèi)米能級(jí)和載流子的濃度統(tǒng)計(jì)分布Fermi分布函數(shù):;??01()1expFfEEEkT???????Fermi能級(jí)的意義:它和溫度、半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型、雜質(zhì)的含量以及能量零點(diǎn)的
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