存儲器實驗

1、一.實驗設(shè)備和運行環(huán)境實驗設(shè)備和運行環(huán)境在教學計算機中，選用靜態(tài)存儲器芯片實現(xiàn)內(nèi)存儲器，包括唯讀存儲區(qū)（ROM，存放監(jiān)控程序等）和隨讀寫存儲區(qū)（RAM）兩部分，每個存儲器芯片提供8位數(shù)據(jù)，用2個芯片組成16位長度的內(nèi)存字。6個芯片被分成3組，其地址空間分配關(guān)系是：01777h用于第一組ROM，固化監(jiān)控程序；20002777h用于RAM，保存用戶程序和用戶數(shù)據(jù)，其高端的一些單元作為監(jiān)控程序的數(shù)據(jù)區(qū)；第二組ROM的地址范圍可以由用戶選擇，主

2、要用于完成擴展內(nèi)存容量（存儲器的字、位擴展）的教學實驗。內(nèi)存儲器和串行接口線路的組成如下圖所示。AR15~8AR7~058C6574LS2456116Intel8251Intel825158C6516位地址總線AB16位數(shù)據(jù)總線DB74LS13874LS13874LS139MAX202內(nèi)存片選信號內(nèi)存和接口讀寫命令接口片選信號MIOREQWE58C6574LS245611658C65DB總線指示燈Intel8255來自ALU的輸出內(nèi)部總

3、線IBAB總線指示燈CPU系統(tǒng)地址總線的低13位送到ROM芯片的地址線引腳（RAM芯片只用低11位），用于選擇芯片內(nèi)的一個存儲字，地址總線的高3位通過譯碼器產(chǎn)生8個片選信號。存儲器16位的數(shù)據(jù)線連接到數(shù)據(jù)總線，并通過雙向三態(tài)門電路74LS245與CPU一側(cè)的內(nèi)部總線IB相連接。這里用到3個譯碼器電路，其中一片74LS138譯碼器芯片接收地址總線最高3位地址信息，以產(chǎn)生內(nèi)存芯片的8個片選信號，用于確定哪一個空間范圍的內(nèi)存區(qū)可以讀寫。611

4、61CE1WRD0D7123T3LDARLI01LI0874LS273D7D0DATABUSA7A0A8A9A10OEWECSCLRA7A0D7D0(AR)17ADDRESSLEDCLKCLRMEMY圖1存儲器實驗原理圖地址總線為8位，接入6116的地址A7—A0，將6116的高三位A8－A10接地，所以其實際容量為256字節(jié)。6116有三個控制線：CE（片選線）、OE（讀線）、WE（寫線）。本實驗中將OE常接地，在此情況，當CE=0、

5、WE=0時進行寫操作，CE=0、WE=1時進行讀操作，其寫時間與T3脈沖寬度一致。實驗時，將T3脈沖接至實驗板上時序電路模塊的TS3相應插針中，其它電平控制信號由“SWITCH”單元的二進制開關(guān)給出，其中SW_G為低電平有效，LDAR為高電平有效。五實驗內(nèi)容：五實驗內(nèi)容：要完成存儲器容量擴展的教學實驗，需為擴展存儲器選擇一個地址，并注意讀寫和OE等控制信號的正確狀態(tài)；用監(jiān)控程序的D、E命令對存儲器進行讀寫，比較RAM(6116)、EEP

6、ROM(28系列芯片)、EPROM(27系列芯片)在讀寫上的異同；用監(jiān)控程序的A命令編寫一段程序，對RAM(6116)進行讀寫，用D命令查看結(jié)果是否正確；用監(jiān)控程序的A命令編寫一段程序，對擴展存儲器EEPROM(28系列芯片)進行讀寫，用D命令查看結(jié)果是否正確；如不正確，分析原因，改寫程序，重新運行。六實驗要求：六實驗要求：實驗之前，應認真預先準備，寫出實驗步驟和具體設(shè)計內(nèi)容，否則實驗效率會特別低，一次實驗時間根本無法完成實驗任務(wù)，即使