模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)李國(guó)麗第一章習(xí)題答案

1、1半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管自我檢測(cè)題自我檢測(cè)題一選擇和填空一選擇和填空1純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體，摻入雜質(zhì)后稱(chēng)雜質(zhì)半導(dǎo)體。若摻入五價(jià)雜質(zhì)，其多數(shù)載流子是電子。2在本征半導(dǎo)體中，空穴濃度C電子濃度；在N型半導(dǎo)體中，空穴濃度B電子濃度；在P型半導(dǎo)體中，空穴濃度A電子濃度。（A大于，B小于，C等于）3.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于C，而少數(shù)載流子的濃度與A關(guān)系十分密切。（A溫度，B摻雜工藝，C雜質(zhì)濃度）4.當(dāng)PN結(jié)

2、外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流A漂移電流，耗盡層E；當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流B漂移電流，耗盡層D。（A大于，B小于，C等于，D變寬，E變窄，F(xiàn)不變）5二極管實(shí)際就是一個(gè)PN結(jié)，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?，即處于正向偏置時(shí)，處于導(dǎo)通狀態(tài)；反向偏置時(shí)，處于截止?fàn)顟B(tài)。6.普通小功率硅二極管的正向?qū)▔航导s為_(kāi)B，反向電流一般_C_；普通小功率鍺二極管的正向?qū)▔航导s為_(kāi)A_，反向電流一般_D_。（A0.1～0.3V，B0.6～0.8V，C小于，D

3、大于）Aμ1Aμ17.已知某二極管在溫度為25℃時(shí)的伏安特性如圖選擇題7中實(shí)線所示，在溫度為T(mén)1時(shí)的伏安特性如圖中虛線所示。在25℃時(shí)，該二極管的死區(qū)電壓為0.5伏，反向擊穿電壓為160伏，反向電流為106安培。溫度T1小于25℃。（大于、小于、等于）vV0imA0.001501020301001500.51T125oC0.0020.003圖選擇題78PN結(jié)的特性方程是。普通二極管工作在特性曲線的正向區(qū)；穩(wěn))1(??TVvSeIi壓管工

4、作在特性曲線的反向擊穿區(qū)。二判斷題（正確的在括號(hào)內(nèi)畫(huà)二判斷題（正確的在括號(hào)內(nèi)畫(huà)√，錯(cuò)誤的畫(huà)，錯(cuò)誤的畫(huà)）1N型半導(dǎo)體可以通過(guò)在純凈半導(dǎo)體中摻入三價(jià)硼元素而獲得。（??t0vO5V??2（b）圖中，二極管導(dǎo)通，vo=vi10。??t051015vOV??2（c）圖中，二極管截止，vo=0。??t0vOVvO0=1.2求圖題1.2所示電路中流過(guò)二極管的電流ID和A點(diǎn)對(duì)地電壓VA。設(shè)二極管的正向?qū)妷簽?.7V。10V(a)D(b)AR120

5、k?IDR210k?6V10VDAR12k?IDR210k?6VR33k?圖題1.2解：解：（a）VVA3.57.06?????mARVRVIAAD3.101021?????（b）3217.0)6(10RVRVRVAAA??????得VVA96.4?mARVIAD42.17.03???1.33電路如圖題1.3所示，已知D1為鍺二極管，其死區(qū)電壓Vth＝0.2V，正向?qū)▔航禐?.3V；D2為硅二極管，其死區(qū)電壓為Vth＝0.5V，正向?qū)?/p>