桂林電子科技大學(xué)高電壓作業(yè)題整理_第1頁(yè)
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1、1111氣體放電過(guò)程中產(chǎn)生帶電質(zhì)點(diǎn)最重要的方式是什么,為什么?氣體放電過(guò)程中產(chǎn)生帶電質(zhì)點(diǎn)最重要的方式是什么,為什么?答:碰撞電離是氣體放電過(guò)程中產(chǎn)生帶電質(zhì)點(diǎn)最重要的方式。這是因?yàn)殡娮芋w積小,其自由行程(兩次碰撞間質(zhì)點(diǎn)經(jīng)過(guò)的距離)比離子大得多,所以在電場(chǎng)中獲得的動(dòng)能比離子大得多。其次由于電子的質(zhì)量遠(yuǎn)小于原子或分子,因此當(dāng)電子的動(dòng)能不足以使中性質(zhì)點(diǎn)電離時(shí),電子會(huì)遭到彈射而幾乎不損失其動(dòng)能;而離子因其質(zhì)量與被碰撞的中性質(zhì)點(diǎn)相近,每次碰撞都會(huì)使

2、其速度減小,影響其動(dòng)能的積累。1212簡(jiǎn)要論述湯遜放電理論。簡(jiǎn)要論述湯遜放電理論。答:設(shè)外界光電離因素在陰極表面產(chǎn)生了一個(gè)自由電子,此電子到達(dá)陽(yáng)極表面時(shí)由于?過(guò)程,電子總數(shù)增至個(gè)。假設(shè)每次電離撞出一個(gè)正離子,故電極空間共有de?(-1)個(gè)正離子。這些正離子在電場(chǎng)作用下向陰極運(yùn)動(dòng),并撞擊陰極按照系數(shù)的de??定義,此(-1)個(gè)正離子在到達(dá)陰極表面時(shí)可撞出(-1)個(gè)新電子,則(de??de?de?1)個(gè)正離子撞擊陰極表面時(shí),至少能從陰極表面

3、釋放出一個(gè)有效電子,以彌補(bǔ)原來(lái)那個(gè)產(chǎn)生電子崩并進(jìn)入陽(yáng)極的電子,則放電達(dá)到自持放電。即湯遜理論的自持放電條件可表達(dá)為r(1)=1或=1。de??de?1414雷電沖擊電壓的標(biāo)準(zhǔn)波形的波前和波長(zhǎng)時(shí)間是如何確定的?雷電沖擊電壓的標(biāo)準(zhǔn)波形的波前和波長(zhǎng)時(shí)間是如何確定的?答:圖113表示雷電沖擊電壓的標(biāo)準(zhǔn)波形和確定其波前和波長(zhǎng)時(shí)間的方法(波長(zhǎng)指沖擊波衰減至半峰值的時(shí)間)。圖中O為原點(diǎn),P點(diǎn)為波峰。國(guó)際上都用圖示的方法求得名義零點(diǎn)。圖中虛線(xiàn)所示,連接

4、P點(diǎn)與0.3倍峰值點(diǎn)作虛線(xiàn)交橫軸于點(diǎn),這樣波前時(shí)間1O1O、和波長(zhǎng)都從算起。1T2T1O目前國(guó)際上大多數(shù)國(guó)家對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)雷電波的波形規(guī)定是:%302.11??sT?,%20502??sT?垂直于放電發(fā)展方向的介質(zhì)厚度對(duì)放電電壓實(shí)際上沒(méi)有影響。其沿面閃絡(luò)電壓與空氣擊穿電壓的差別相比強(qiáng)垂直分量時(shí)要小得多。2121什么叫電介質(zhì)的極化?極化強(qiáng)度是怎么定義的?什么叫電介質(zhì)的極化?極化強(qiáng)度是怎么定義的?答:電介質(zhì)的極化是電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下,其束縛電荷相

5、應(yīng)于電場(chǎng)方向產(chǎn)生彈性位移現(xiàn)象和偶極子的取向現(xiàn)象。電介質(zhì)的極化強(qiáng)度可用介電常數(shù)的大小來(lái)表示,它與該介質(zhì)分子的極性強(qiáng)弱有關(guān),還受到溫度、外加電場(chǎng)頻率等因素的影響。2222固體無(wú)機(jī)電介質(zhì)中,無(wú)機(jī)晶體、無(wú)機(jī)玻璃和陶瓷介質(zhì)的損耗主要由哪些損耗組成?固體無(wú)機(jī)電介質(zhì)中,無(wú)機(jī)晶體、無(wú)機(jī)玻璃和陶瓷介質(zhì)的損耗主要由哪些損耗組成?答:(1)無(wú)機(jī)晶體介質(zhì)只有位移極化,其介質(zhì)損耗主要來(lái)源于電導(dǎo);(2)無(wú)機(jī)玻璃的介質(zhì)損耗可以認(rèn)為主要由三部分組成:電導(dǎo)損耗、松弛損耗

6、和結(jié)構(gòu)損耗;(3)陶瓷介質(zhì)可分為含有玻璃相和幾乎不含玻璃相兩類(lèi),第一類(lèi)陶瓷是含有大量玻璃相和少量微晶的結(jié)構(gòu),其介質(zhì)損耗主要由三部分組成:玻璃相中離子電導(dǎo)損耗、結(jié)構(gòu)較松的多晶點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)引起的松弛損耗以及氣隙中含水引起的界面附加損耗,tan相當(dāng)大。?第二類(lèi)是由大量的微晶晶粒所組成,僅含有極少量或不含玻璃相,通常結(jié)晶相結(jié)構(gòu)緊密,tan比第一類(lèi)陶瓷小得多?2424固體介質(zhì)的擊穿主要有哪幾種形式?它們各有什么特征?固體介質(zhì)的擊穿主要有哪幾種形式?它

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