模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-知識點(diǎn)總結(jié)

1、模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識1.半導(dǎo)體導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2.特性光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導(dǎo)體純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.兩種載流子帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體

2、中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性載流子的濃度多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。體電阻通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。轉(zhuǎn)型通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7.PN結(jié)PN結(jié)的接觸電位差硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?dǎo)通，反偏截止。8.PN結(jié)的伏安特性二.半導(dǎo)體二極管單向?qū)щ娦哉驅(qū)?，反向截止。二極管伏安特性同Ｐ

3、Ｎ結(jié)。正向?qū)▔航倒韫?.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。死區(qū)電壓硅管0.5V，鍺管0.1V。3.分析方法將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若V陽V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路)若V陽V陰(反偏)，二極管截止(開路)。1）圖解分析法該式與伏安特性曲線的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。二.三極管的工作原理1.三極管的三種基本組態(tài)2.三極管內(nèi)各極電流的分配共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件式子稱為穿透電流。3.共射電路的特性曲線輸

4、入特性曲線同二極管。輸出特性曲線(飽和管壓降，用UCES表示放大區(qū)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。截止區(qū)發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。4.溫度影響溫度升高，輸入特性曲線向左移動。溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低頻小信號等效模型（簡化）hie輸出端交流短路時的輸入電阻，常用rbe表示；hfe輸出端交流短路時的正向電流傳輸比，常用β表示；四.基本放大電路組成及其原則1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.組成原則能放大、不