模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)_知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

1、模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章第一章半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)1.1.半導(dǎo)體半導(dǎo)體導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅如硅SiSi、鍺、鍺Ge)Ge)。2.2.特性特性光敏、熱敏和摻雜特性。光敏、熱敏和摻雜特性。3.3.本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.4.兩種載流子兩種載流子帶有正、負(fù)電荷的

2、可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.5.雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。PP型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。NN型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子

3、是電子，少子是空穴）在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。6.6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性載流子的濃度載流子的濃度多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。體電阻體電阻通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。轉(zhuǎn)型轉(zhuǎn)型通過(guò)改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。通過(guò)改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種

4、雜質(zhì)半導(dǎo)體。7.7.PNPN結(jié)PNPN結(jié)的接觸電位差結(jié)的接觸電位差硅材料約為硅材料約為0.6~0.8V0.6~0.8V，鍺材料約為，鍺材料約為0.2~0.3V0.2~0.3V。PNPN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?dǎo)通，反偏截止。正偏導(dǎo)通，反偏截止。8.8.PNPN結(jié)的伏安特性結(jié)的伏安特性二.半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦哉驅(qū)?，反向截止。正向?qū)?，反向截止。二極管伏安特性二極管伏安特性同ＰＮ結(jié)。同ＰＮ結(jié)。正向?qū)▔航?/p>

5、正向?qū)▔航倒韫芄韫?.6~0.7V0.6~0.7V，鍺管，鍺管0.2~0.3V0.2~0.3V。死區(qū)電壓死區(qū)電壓硅管硅管0.5V0.5V，鍺管，鍺管0.1V0.1V。3.3.分析方法分析方法將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若V陽(yáng)VV陰(正偏正偏)，二極管導(dǎo)通，二極管導(dǎo)通(短路短路))若V陽(yáng)VV陰(反偏反偏)，二極管截止，二極管截止(開路開路)。1）圖解分析法）圖解分析法該式與伏安特性曲線該

6、式與伏安特性曲線的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。二.三極管的工作原理三極管的工作原理1.1.三極管的三種基本組態(tài)三極管的三種基本組態(tài)2.2.三極管內(nèi)各極電流的分配三極管內(nèi)各極電流的分配共發(fā)射極電流放大系數(shù)共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件表明三極管是電流控制器件式子式子稱為穿透電流。稱為穿透電流。3.3.共射電路的特性曲線共射電路的特性曲線輸入特性曲線輸入特性曲線同二極管。同二極管。輸出特性曲線輸出特性曲線(飽和管壓

7、降，用飽和管壓降，用UCESCES表示表示放大區(qū)放大區(qū)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。截止區(qū)截止區(qū)發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。4.4.溫度影響溫度影響溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。溫度升高溫度升高ICBOCBO、ICEOCEO、IC以及以及β均增加。均增加。三.低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化）低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化）hieie輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，輸出端交流短路時(shí)的