成都理工大學(xué)電法勘探試卷模擬題要點(diǎn)

1、成都理工大學(xué)《成都理工大學(xué)《電法勘探》法勘探》試卷1適用適用專業(yè)專業(yè)：勘：勘查技術(shù)與工程與工程一、回答下列問題(20分)1、寫出視電阻率微分公式，并說明式中各量的含義。2、簡(jiǎn)述電子導(dǎo)體自然電場(chǎng)的形成過程。3、寫出傳播系數(shù)k在一般情況、導(dǎo)電介質(zhì)、空氣中的表達(dá)式。4、寫出極化率和視極化率表達(dá)式，并說明二者的區(qū)別。二、計(jì)算題（15分）某工區(qū)已知圍巖電阻率為200Ωm，極化率為3%，在進(jìn)行激電中梯測(cè)量時(shí)，已知供電極距為1000m，測(cè)量極距為40

2、m。為保證△U2不低于3mv，試估算至少需多大的供電電流？三、有如下地電斷面（20分）求：（1）、繪出對(duì)稱四極測(cè)深曲線并確定曲線類型（2）、中間層縱向電導(dǎo)S2等于多少？ρ1=100Ωmh1=30m（3）、當(dāng)h2=5m，ρ2=10Ωm時(shí)，曲線有無變化？為什么？ρ2=20Ωmh2=10m（4）、若ρ3→∞時(shí)，曲線尾支將如何變化？繪出變化后的曲線。（5）、寫出轉(zhuǎn)換函數(shù)T2(m)表達(dá)式四、用相位三角形表示一次磁場(chǎng)、二次磁場(chǎng)和總磁場(chǎng)的相位關(guān)系，并

3、指出，振幅相位法和實(shí)虛分量法所測(cè)的量是哪一個(gè)量？（20分）五、定性繪出下述地電斷面上相應(yīng)裝置的視參數(shù)曲線。（10分）1、聯(lián)剖裝置ρs和ηs曲線。2、點(diǎn)源梯度E1x、E2x、ηs曲線B(－I)ρ1η1η1ρ2η1η2η1六、判斷下列各題。正確打（√），錯(cuò)誤打（）（10分）1、正交點(diǎn)電阻率值不一定小于背景值。（）2、電阻率中梯裝置適合于尋找直立的低阻薄脈和水平高阻薄板。（）3、低阻體一定高極化，高阻體一定低極化。（）4、實(shí)測(cè)一條K型視電阻率

4、曲線，則表明地下一定是水平層狀介質(zhì)。（）5、瞬變電磁場(chǎng)的近區(qū)歸一化參數(shù)U1是指收發(fā)距大或t（τ）也大。（）七、證明兩層介質(zhì)當(dāng)ρ2→∞時(shí)，繪于雙對(duì)數(shù)坐標(biāo)中的水平二層電測(cè)深曲線尾支漸近線與ρs＝ρ1之水平直線相交，其交點(diǎn)的橫坐標(biāo)等于h1，并繪圖表示。（5分）成都理工大學(xué)《成都理工大學(xué)《電法勘探》法勘探》試卷1（參考答案）（參考答案）適用適用專業(yè)專業(yè)：勘：勘查技術(shù)與工程與工程一、回答下列問題（20分）1、簡(jiǎn)述影響巖、礦石電阻率的因素有哪些？在

5、電法勘探中主要考慮的是哪些因素？2、何謂理想導(dǎo)體？對(duì)理想導(dǎo)體充電的充電電場(chǎng)有何特點(diǎn)？3、何謂橢圓極化？它的存在說明了什么？4、何謂頻散率？寫出其表達(dá)式，并說明式中各量的含義。二、計(jì)算下列各題(20分)1、計(jì)算當(dāng)AO=100米、MN=10米時(shí)，若測(cè)得△UMN=100mv、I=150mA，已知ηs=5%，求ρs等于多少？（提示：計(jì)算電阻率用△U1MN）2、已知f=1000HZ，介質(zhì)電阻率ρ=10Ωm，εr=36，求電磁系數(shù)m，在此條件下能否

6、忽略位移電流？電磁波的穿透深度及波長(zhǎng)各為多少？三、繪出H、K、A、Q型對(duì)稱四極電測(cè)深曲線，并給出各類型地電斷面所對(duì)應(yīng)的層數(shù)及電性關(guān)系。（15分）四、在同一工區(qū)進(jìn)行激電工作時(shí)，用不同的供電時(shí)間（T）或不同的測(cè)量延時(shí)（t）行不行？為什么？用不同的供電電流行不行？為什么？（10分）五、定性繪出下列條件的視參數(shù)曲線（15分）1、傾斜良導(dǎo)極化脈體（向左傾），聯(lián)合剖面裝置的ρs、ηs曲線。2、直立良導(dǎo)脈上，（ZZ）裝置的HZ振幅異常曲線。六、判斷下

7、列各題。正確打（√），錯(cuò)誤打（）。（10分）1、反交點(diǎn)的電阻率值一定大于背景值。（）2、對(duì)于中間層h2和ρ2不同的H型地電斷面，若其S2=h2ρ2相等。但不一定等價(jià)。（）3、感應(yīng)二次場(chǎng)的相位與電阻率無關(guān)，與頻率有關(guān)。（）4、電磁場(chǎng)的遠(yuǎn)區(qū)只與距離有關(guān)。（）5、低阻體上方有電阻率異常，也一定會(huì)產(chǎn)生激電異常。（）七、推導(dǎo)題導(dǎo)出卡尼亞電阻率公式ρ=？并說明式中各物理量的意義。（10分）成都理工大學(xué)《成都理工大學(xué)《電法勘探》法勘探》試卷2（參考答