電力電子復(fù)習(xí)有答案

1、第一章第一章填空題：1.電力電子器件一般工作在_開關(guān)開關(guān)__狀態(tài)。2.在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為_通態(tài)損耗通態(tài)損耗_，而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為_開關(guān)損開關(guān)損耗。3.電力電子器件組成的系統(tǒng)，一般由_主電路主電路_、_驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電路_、_控制電路控制電路_三部分組成，由于電路中存在電壓和電流的過沖，往往需添加_保護(hù)電路保護(hù)電路_。4.按內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況，電力電子器件可分為單極型器件單極型器

2、件、雙極型器件雙極型器件、復(fù)合型器件復(fù)合型器件三類。5.電力二極管的工作特性可概括為單向?qū)▎蜗驅(qū)ā?.電力二極管的主要類型有普通二極管普通二極管、快恢復(fù)二極管快恢復(fù)二極管、肖特基二極管肖特基二極管。7.肖特基二極管的開關(guān)損耗__小于小于_快恢復(fù)二極管的開關(guān)損耗。8.晶閘管的基本工作特性可概括為正向正向有觸發(fā)則導(dǎo)通、反向反向截止。（SCR晶閘管）晶閘管）9.對(duì)同一晶閘管，維持電流IH與擎住電流IL在數(shù)值大小上有IL_大于大于IH。（I

3、L=2~4IH）10.晶閘管斷態(tài)不重復(fù)電壓UDRM與轉(zhuǎn)折電壓Ubo數(shù)值大小上應(yīng)為，UDRM_小于小于_Ubo。11.逆導(dǎo)晶閘管是將_二極管二極管_與晶閘管_反并聯(lián)反并聯(lián)_（如何連接）在同一管芯上的功率集成器件。12.GTO的__陰極和門極在器件內(nèi)并聯(lián)陰極和門極在器件內(nèi)并聯(lián)_結(jié)構(gòu)是為了便于實(shí)現(xiàn)門極控制關(guān)斷而設(shè)計(jì)的。（GTO門極可關(guān)斷晶閘管）門極可關(guān)斷晶閘管）13.功率晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為_二次擊穿二次擊穿

4、_。14.MOSFET的漏極伏安特性中的三個(gè)區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時(shí)的輸出特性中的三個(gè)區(qū)域有對(duì)應(yīng)關(guān)系，其中前者的截止區(qū)對(duì)應(yīng)后者的_截止區(qū)截止區(qū)_、前者的飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的_放大區(qū)放大區(qū)_、前者的非飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的_飽和區(qū)飽和區(qū)_。15.電力MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)。（MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、GTR電力晶體管、電力晶體管、IGBT絕緣柵雙極型絕緣柵雙極型16.IGBT的開啟電壓UGE（th）隨溫度升高而_略有下

5、降略有下降_，開關(guān)速度_低于低于_電力MOSFET。晶體管）晶體管）17.功率集成電路PIC分為二大類，一類是高壓集成電路，另一類是智能功率集成電路智能功率集成電路。18.按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的性質(zhì)，可將電力電子器件分為電壓驅(qū)動(dòng)電壓驅(qū)動(dòng)和電流驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)兩類。19.為了利于功率晶體管的關(guān)斷，驅(qū)動(dòng)電流后沿應(yīng)是負(fù)脈沖負(fù)脈沖_。20.GTR的驅(qū)動(dòng)電路中抗飽和電路的主要作用是使基極驅(qū)動(dòng)電流不進(jìn)入放大區(qū)和飽和區(qū)使基極驅(qū)動(dòng)

6、電流不進(jìn)入放大區(qū)和飽和區(qū)。21.抑制過電壓的方法之一是用儲(chǔ)能元件儲(chǔ)能元件吸收可能產(chǎn)生過電壓的能量，并用電阻將其消耗。在過電流保護(hù)中，快速熔斷器的全保護(hù)適用于小功率裝置的保護(hù)。22.功率晶體管緩沖保護(hù)電路中的二極管要求采用快恢復(fù)快恢復(fù)型二極管，以便與功率晶體管的開關(guān)時(shí)間相配合。23.晶閘管串聯(lián)時(shí)，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是_靜態(tài)均壓靜態(tài)均壓_措施，給每只管子并聯(lián)RC支路是動(dòng)態(tài)均流動(dòng)態(tài)均流措施，當(dāng)需同時(shí)串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時(shí)，應(yīng)采用_先串

7、后并先串后并_的方法。24.IGBT的通態(tài)壓降在12或13額定電流以下區(qū)段具有負(fù)溫度系數(shù)在12或13額定電流以上區(qū)段具有正溫度系數(shù)。25.在如下器件：電力二極管（PowerDiode）、晶閘管（SCR）、門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）、電力晶體管（GTR）、電力場(chǎng)效應(yīng)管（電力MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）中，屬于不可控器件的是_電力二極管電力二極管_，屬于半控型器件的是_晶閘管晶閘管_，屬于全控型器件的是GTO（門極可關(guān)斷晶

8、閘管）（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管）（電力晶體管）、電力、電力MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)管）（電力場(chǎng)效應(yīng)管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）（絕緣柵雙極型晶體管）；屬于單極型電力電子器件的有電力電力MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)（電力場(chǎng)效應(yīng)管）管），屬于雙極型器件的有晶閘管（晶閘管（SCR）、GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管）（電力晶體管）、電力二極管、電力二極管，屬于復(fù)合型電力電子器件得有IGBT

9、（絕緣柵雙極型晶體管）（絕緣柵雙極型晶體管）；在可控的器件中，容量最大的是GTO（門極可關(guān)斷晶閘（門極可關(guān)斷晶閘管）管），工作頻率最高的是IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）（絕緣柵雙極型晶體管），屬于電壓驅(qū)動(dòng)的是電力電力MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)管）（電力場(chǎng)效應(yīng)管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）（絕緣柵雙極型晶體管），屬于電流驅(qū)動(dòng)的是晶閘管（晶閘管（SCR）、GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管）（電力晶體管）

10、、電、電力二極管力二極管。1.應(yīng)用電力電子器件的系統(tǒng)組成如題圖127所示，試說明其中各個(gè)電路的作用？（單復(fù)合型電壓型，雙型為電流型）（單復(fù)合型電壓型，雙型為電流型）主電路：實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的系統(tǒng)功能。主電路：實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的系統(tǒng)功能。保護(hù)電路：防止電路的電壓或電流的過沖對(duì)系統(tǒng)的破壞。保護(hù)電路：防止電路的電壓或電流的過沖對(duì)系統(tǒng)的破壞。第二章第二章填空題：1.電阻負(fù)載的特點(diǎn)是電壓與電流成正比電壓與電流成正比，在單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，晶閘管控制

11、角α的最大移相范圍是180o。2.阻感負(fù)載的特點(diǎn)是流過電感的電流不能發(fā)生突變流過電感的電流不能發(fā)生突變，在單相半波可控整流帶阻感負(fù)載并聯(lián)續(xù)流二極管的電路中，晶閘管控制角α的最大移相范圍是180o，其承受的最大正反向電壓均為√2U2，續(xù)流二極管承受的最大反向電壓為√2U2（設(shè)U2為相電壓有效值）。3.單相橋式全控整流電路中，帶純電阻負(fù)載時(shí)，α角移相范圍為0o~180o，單個(gè)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為√22U2和√2U2；帶

12、阻感負(fù)載時(shí)，α角移相范圍為0o~90o，單個(gè)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為√2U2和√2U2；4.單相全控橋反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載電路中，當(dāng)控制角α大于不導(dǎo)電角?時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角?=π?α?當(dāng)控制角?小于不導(dǎo)電角?時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角?=0o。5.從輸入輸出上看，單相橋式全控整流電路的波形與單相全波可控整流電路單相全波可控整流電路的波形基本相同，只是后者適用于低輸出電壓的場(chǎng)合。8.三相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載工作中，共陰極組中處于通

13、態(tài)的晶閘管對(duì)應(yīng)的是最大（正的最多）最大（正的最多）的相電壓，而共陽極組中處于導(dǎo)通的晶閘管對(duì)應(yīng)的是最小（負(fù)的最多）最?。ㄘ?fù)的最多）的相電壓；這種電路?角的移相范圍是0o~120o，ud波形連續(xù)得條件是a≤60o。9.對(duì)于三相半波可控整流電路，換相重迭角的影響，將使用輸出電壓平均值下降下降。12.實(shí)際工作中，整流電路輸出的電壓是周期性的非正弦函數(shù)，當(dāng)?從0～90變化時(shí)，整流輸出的電壓ud的諧波幅值隨?的增大而增大增大，當(dāng)?從90～180變化

14、時(shí)，整流輸出的電壓ud的諧波幅值隨?的增大而減小減小。13.三相橋式全控整流電路帶阻感負(fù)載時(shí)，設(shè)交流側(cè)電抗為零，直流電感L為足夠大。當(dāng)?＝30時(shí)，三相電流有效值與直流電流的關(guān)系為I＝√2／3Id，交流側(cè)電流中所含次諧波次數(shù)為6k1，其整流輸出電壓中所含的諧波次數(shù)為___6k_。16.逆變電路中，當(dāng)交流側(cè)和電網(wǎng)連結(jié)時(shí)，這種電路稱為有源逆變有源逆變，欲實(shí)現(xiàn)有源逆變，只能采用全控全控電路，當(dāng)控制角0????????使ud為負(fù)值為負(fù)值。18.晶

15、閘管直流電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)工作于整流狀態(tài)，當(dāng)電流連續(xù)時(shí)，電動(dòng)機(jī)的機(jī)械特性為一組平行的直線平行的直線，當(dāng)電流斷續(xù)時(shí)，電動(dòng)機(jī)的理想空載轉(zhuǎn)速將抬高抬高，隨?的增加，進(jìn)入斷續(xù)區(qū)的電流變化很小也可引起很大的轉(zhuǎn)速變化變化很小也可引起很大的轉(zhuǎn)速變化。19.直流可逆電力拖動(dòng)系統(tǒng)中電動(dòng)機(jī)可以實(shí)現(xiàn)四象限運(yùn)行，當(dāng)其處于第一象限時(shí)，電動(dòng)機(jī)作電動(dòng)電動(dòng)運(yùn)行，電動(dòng)機(jī)正轉(zhuǎn)，正組橋工作在整流整流狀態(tài)；當(dāng)其處于第四象限時(shí)，電動(dòng)機(jī)做發(fā)電發(fā)電運(yùn)行，電動(dòng)機(jī)反轉(zhuǎn)，正組橋工作在逆變狀態(tài)。簡(jiǎn)

16、答題：1.單相橋式全控整流電路、三相橋式全控整流電路中，當(dāng)負(fù)載分別為電阻負(fù)載或電感負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍分別是多少？單相橋式全控整流電路中，當(dāng)負(fù)載為電阻負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍為單相橋式全控整流電路中，當(dāng)負(fù)載為電阻負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍為0o~180o當(dāng)負(fù)載為電感負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍為當(dāng)負(fù)載為電感負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍為0o~90o三相橋式全控整流電路中，當(dāng)負(fù)載為電阻負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍為三相橋式全

17、控整流電路中，當(dāng)負(fù)載為電阻負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍為0o~120o當(dāng)負(fù)載為電感負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍為當(dāng)負(fù)載為電感負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍為0o~90o2.變壓器漏感對(duì)整流電路有何影響？①出現(xiàn)換向重疊角γ，整流輸出電壓平均值①出現(xiàn)換向重疊角γ，整流輸出電壓平均值ud降低；降低；②整流電路的工作狀態(tài)增多；②整流電路的工作狀態(tài)增多；③晶閘管的③晶閘管的didt減小，有利于晶閘管的安全開通；減小，有利于晶閘管的安全開通；④換向時(shí)