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1、基礎(chǔ)物理學(xué)基礎(chǔ)物理學(xué)研究性實(shí)驗(yàn)報(bào)告研究性實(shí)驗(yàn)報(bào)告題目:各向異性磁阻傳感器(目:各向異性磁阻傳感器(AMRAMR)與地磁場測量)與地磁場測量第一作者:第一作者:1111111111111111第二作者:第二作者:2222222222222222學(xué)院:航空科學(xué)與工程學(xué)院院:航空科學(xué)與工程學(xué)院專業(yè):飛行器設(shè)計(jì)與工程業(yè):飛行器設(shè)計(jì)與工程班級:級:11051911051920132013年5月1414日北京航空航天大學(xué)研究性實(shí)驗(yàn)報(bào)告北京航空航天大
2、學(xué)研究性實(shí)驗(yàn)報(bào)告1各向異性磁阻傳感器與磁場測量摘要摘要:物質(zhì)在磁場中電阻率發(fā)生變化的現(xiàn)象稱為磁阻效應(yīng),磁阻傳感器利用磁阻效應(yīng)制成。磁阻傳感器可用于直接測量磁場或磁場變化,如弱磁場測量。也可通過磁場變化測量其它物理量,如利用磁阻效應(yīng)已制成各種位移、角度、轉(zhuǎn)速傳感器,廣泛用于各類需要自動(dòng)檢測與控制的領(lǐng)域。磁阻元件的發(fā)展經(jīng)歷了半導(dǎo)體磁阻(MR),各向異性磁阻(AMR),巨磁阻(GMR),龐磁阻(CMR)等階段。本實(shí)驗(yàn)研究AMR的特性并利用它對
3、磁場進(jìn)行測量。關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞:AMR,磁阻效應(yīng),電磁轉(zhuǎn)換,磁場測量一、實(shí)驗(yàn)要求一、實(shí)驗(yàn)要求1熟悉和了解AMR的原理2測量磁阻傳感器的磁電轉(zhuǎn)換特性和各向異性特性3測量赫姆霍茲線圈的磁場分布4測量地磁場磁場強(qiáng)度,磁傾角,磁偏角二、實(shí)驗(yàn)原理二、實(shí)驗(yàn)原理各向異性磁阻傳感器AMR(AnisotropicMagoResistivesenss)由沉積在硅片上的坡莫合金(Ni80Fe20)薄膜形成電阻。沉積時(shí)外加磁場,形成易磁化軸方向。鐵磁材料的電阻與電
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