各向異性磁電阻傳感器的研究.pdf

1、各向異性磁電阻(AMR)傳感器是近年來磁敏傳感器的研究重點(diǎn)之一。AMR傳感器是利用微電子、微機(jī)械加工和薄膜技術(shù)將Barber電極和敏感薄膜集成一體的新型磁敏元件，具有微型化、高靈敏度、低功耗、易集成、易批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。本文主要研究AMR薄膜的制備、薄膜型磁電阻單元的優(yōu)化、AMR單元制備過程中的工藝問題、測(cè)試系統(tǒng)的制作與AMR單元的性能測(cè)試。 采用磁控濺射方法制備AMR薄膜。根據(jù)現(xiàn)有濺射系統(tǒng)的特點(diǎn)自行設(shè)計(jì)了能夠產(chǎn)生均勻誘導(dǎo)磁場(chǎng)的基

2、片底座，在此基礎(chǔ)上制得了最大磁電阻相對(duì)變化率達(dá)到2.8﹪的薄膜。并通過對(duì)于工藝條件的摸索，得到了薄膜磁電阻隨基片溫度及濺射功率的變化規(guī)律，實(shí)現(xiàn)了工藝參數(shù)的優(yōu)化。 利用ANSYS對(duì)AMR傳感器不同取向的Barber電極進(jìn)行分析和計(jì)算，得到了不同取向Barber電極的磁電阻相對(duì)變化率隨歸一化磁場(chǎng)的變化曲線，結(jié)果表明薄膜磁電阻條寬度為Barber電極間距兩倍時(shí)，Barber電極與磁電阻條長(zhǎng)度方向夾角取50°的傳感器具有較好的輸出對(duì)稱性