2019山東建筑大學考研專業(yè)課復試-半導體物理考試大綱

1、1山東建筑大學碩士研究生入學考試山東建筑大學碩士研究生入學考試《半導體物理》《半導體物理》考試大綱考試大綱山東建筑大學（ShongJianzhuUniversity）位于山東省濟南市，是一所以工為主，以土木建筑學科為特色，工理管文法農(nóng)藝多學科交叉滲透、協(xié)調(diào)發(fā)展的多科性大學。學校為山東省人民政府與中華人民共和國住房和城鄉(xiāng)建設(shè)部共建高校、國家教育部卓越工程師教育培養(yǎng)計劃高校、服務(wù)國家特殊需求博士人才培養(yǎng)高校、國家“產(chǎn)教融合”項目首批建設(shè)高校

2、、山東省首批應用型人才培養(yǎng)特色名校。本大綱適用于山東建筑大學凝聚態(tài)物理的碩士研究生入學考試。半導體物理學是現(xiàn)代微電子學與固體電子學的重要基礎(chǔ)理論課程，它的主要內(nèi)容包括半導體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài)；雜質(zhì)和缺陷能級；載流子的統(tǒng)計分布；載流子的散射及電導問題；非平衡載流子的產(chǎn)生、復合及其運動規(guī)律；半導體的表面和界面─包括p－n結(jié)、金屬半導體接觸、半導體表面及MIS結(jié)構(gòu)、異質(zhì)結(jié)；半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現(xiàn)象和非晶半導體部分。要求考生對其基本

3、概念有較深入的了解，能夠系統(tǒng)地掌握書中基本定律的推導、證明和應用，并具有綜合運用所學知識分析問題和解決問題的能力。（一）半導體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài)（一）半導體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài)1了解半導體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)的基本概念。2理解半導體中的電子狀態(tài)和能帶的基本概念。3掌握半導體中的電子運動規(guī)律，理解有效質(zhì)量的意義。4理解本征半導體的導電機構(gòu)，理解空穴的概念。5熟練掌握空間等能面和回旋共振的相關(guān)公式推導、并能靈活運用。6理解硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)

4、，掌握有效質(zhì)量的計算方法。7了解III－V族化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)。8了解II－VI族化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)。（二）半導體中雜質(zhì)和缺陷能級（二）半導體中雜質(zhì)和缺陷能級1理解替位式雜質(zhì)、間隙式雜質(zhì)、施主雜質(zhì)、施主能級、受主雜質(zhì)、受主能級的概念。2簡單計算淺能級雜質(zhì)電離能。31深入理解并熟練掌握pn結(jié)及其能帶圖，包括公式、能帶示意圖。2深入理解并熟練掌握pn結(jié)電流電壓特性，包括公式、能帶示意圖。3深入理解pn結(jié)電容的概念，熟練掌握p－n結(jié)電

5、容表達式、能帶示意圖。4深入理解雪崩擊穿、隧道擊穿熱擊穿的概念。5了解pn結(jié)隧道效應。（七）金屬和半導體的接觸（七）金屬和半導體的接觸1了解金屬半導體接觸及其能帶圖。理解功函數(shù)、接觸電勢差的概念，包括公式、能帶示意圖。了解表面態(tài)對接觸勢壘的影響。2了解金屬半導體接觸整流理論。深入理解并熟練掌握擴散理論、熱電子發(fā)射理論、鏡像力和隧道效應的影響、肖特基勢壘二極管的概念。3了解少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸的概念。（八）半導體表面與（八）半導體表

6、面與MIS結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)1深入理解表面態(tài)的概念。2深入理解表面電場效應，空間電荷層及表面勢的概念，包括能帶示意圖。深入理解并熟練掌握表面空間電荷層的電場、電勢和電容的關(guān)系，包括公式、示意圖。并能靈活運用。3深入理解并熟練掌握MIS結(jié)構(gòu)的電容－電壓特性，包括公式、示意圖。并能靈活運用。4深入理解并熟練掌握硅二氧化硅系數(shù)的性質(zhì)，包括公式、示意圖。并能靈活運用。5理解表面電導及遷移率的概念。6了解表面電場對pn結(jié)特性的影響。（九）異質(zhì)結(jié)（九）異質(zhì)結(jié)