gjb128a-1997半導體分立器件試驗方法

1、中華人民共和國國家軍用標準半導體分立器件試驗方法TestmethodsForsemicondctordiscretedevicesGJB128A97代替GJB128861范圍1.1主題內容本標準規(guī)定了半導體分立器件以下簡稱器件的通用試驗方法包括軍用條件下抗損害能力的基本環(huán)境試驗機械性能試驗和電特性測試1.2適用范圍本標準適用于軍用半導體分立器件1.3應用指南1.3.1規(guī)定試驗室中的試驗條件要適當使試驗結果等效于現場使用結果試驗結果要能再

2、現但這不能理解為試驗條件完全等同某一地區(qū)真實的工作條件這是因為只有在某一地區(qū)實際工作的試驗才是那個地區(qū)真實的工作試驗用一個標準描述各種通用半導體器件規(guī)范中性質相似的試驗方法時就可以使這些方法保持統(tǒng)一從而可以充分利用設備設施和節(jié)省工時為了達到這一目標要使每一種通用試驗方法適用于多種器件1.3.2在詳細規(guī)范中引用本標準的試驗方法時應注明本標準編號試驗方法編號及所引用試驗方法中應規(guī)定的細節(jié)2引用文件GB313188錫鉛焊料GB402386半導

3、體分立器件第2部分整流二極管GB402483半導體器件反向阻斷三極晶閘管的測試方法GB458694半導體器件分立器件第8部分場效應晶體管GB458794半導體器件分立器件和集成電路第7部分雙極型晶體管GB657086微波二極管測試方法GB657194半導體器件分立器件第3部分信號包括開關和調整二極管GB949188錫焊用液態(tài)焊劑松香基GB1149989半導體分立器件文字符號GB1230090功率晶體管安全工作區(qū)測試方法GB33A97半導

4、體分立器件總規(guī)范GIB360A96電子及電氣元件試驗方法GJB762.1一89半導體器件輻射加固試驗方法中子輻照試驗GJB762.389半導體器件輻射加固試驗方法г瞬時拍輻照試驗GJB1209一91微電路生產線認證用試驗方法和程序C.規(guī)定溫度下限的試驗例如老煉和壽命試驗等在試驗要求規(guī)定有試驗溫度下限時試驗箱結構和控制應使得工作區(qū)域內任一點的溫度與規(guī)定的溫度下限的偏差不超過80或80以大者為準但緊靠發(fā)熱樣品處除外4.1.2電測試頻率除非另

5、有規(guī)定電測試頻率為100025Hz4.1.3準確度規(guī)定的極限是在規(guī)定的標稱的試驗條件下得到的絕對真值在確定用作測量值的工作極限時應為測試誤差包括由于偏離標稱的測試條件引起的給出適當的裕量以使器件參數的真值正如它們在標稱測試條件下那樣處于規(guī)定的權限以內除非另有規(guī)定器件的所有測試3000類4000類和其它規(guī)定的電參數應保持下述測試公差和預防措施雖然在有關文件中規(guī)定的測試條件嚴于下述公差但在一般情況下應遵循下述規(guī)定的條件和預防措施a.偏置條件

6、應在規(guī)定位的全3以內b.輸入脈沖特性重復頻率頻率等應保持在10以內標稱值的選擇應使得10的變量或實際試驗設備的變量當小于10時不影響規(guī)定值的測量準確度或有效性c.擊穿試驗所加電壓應保持在規(guī)定值的l以內d.陰性負載的誤差應是5e.容性負載的誤差應是10或lpF以大者為準f.感性負載的誤差應是10或5H以大者為準g.測量靜態(tài)參數的誤差應在1以內h.測量開關參數的誤差應在全5或1ns以內以大者為準4.1.3.1試驗方法和電路除非在具體試驗方法

7、中另有規(guī)定所示的方法和電路為基本測試方法它們不是唯一能使用的方法和電路但是承制方應向有關單位證明替代方法或電路是等效的并且所給出的結果在所希望的測量準確度之內見4.1.34.1.4校準要求應按GJB2712規(guī)定對承制方測量或控制生產過程和檢驗半導體器件所使用的標準和儀器提供校準及確認程序對于那些不能追溯到標準和技術的國家計量機構的測量應當保存好標準樣品一旦需要提供證明時可用來作為證明合格的依據另外還應符合下列要求a.校準儀器的準確度至少

8、比被校儀器的準確度高四倍但被校準項目是現代化設備除外它的準確度可接近或等于現代化校準設備的準確度在這種情況下四倍要求不適用但是儀器應當采用國家計量機構所建立的標準進行校準b.除非國家計量機構推薦較長時間和得到鑒定機構同意外承制方電氣標準的校準時間間隔不得超過一年承制方機械標準的校準時間間隔不得超過兩年4.2取向X取向是器件主軸垂直于加速力方向主截面平行于加速力方向的方向Y取向是器件主軸平行于加速力主基座面向YI或背向Y2加速力作用方向的