0.13um銅互連工藝的研究和改善

1、復旦大學碩士學位論文0.13um銅互連工藝的研究和改善姓名：奚民偉申請學位級別：碩士專業(yè)：電子與通信工程指導教師：張衛(wèi)20070331第一章緒論內容提要一1 ) 半導體技術的發(fā)展； 2 ) 銅制程工藝概述； 3 ) 介紹本論文內容安排1 ．1 引言電子工業(yè)在過去的5 0 年間迅速增長，這一增長一直為微電子學革命所驅動。1 9 4 7 年1 2 月，由B a r d e e m 和B r a t t a i n 發(fā)明了第一個點接觸式的晶體

2、管。其后經(jīng)過S h o c k l e y 等人的研究，晶體管器件理論與制造技術得到迅速發(fā)展。在此基礎上，第一個集成電路( I C ，I n t e g r a t e dC i r c u i t ) 由T I 公司的J ．K i l b y 在1 9 5 8 年9 月發(fā)明。這個發(fā)明被看成是劃時代的，J ．K i l b y 也因此在2 0 0 0 年被授予諾貝爾物理學獎。其后經(jīng)過幾十年幾代人的努力，I c 在制造技術，器件物理，電路

3、和系統(tǒng)等方面取得了巨大的成就，I c 的集成度也急劇增加，由開始的S S I( S m a l lS i z eI n t e g r a t e d ，小規(guī)模集成) 到L S I ( L a r g eS i z eI n t e g r a t e d ，大規(guī)模集成) ，再到現(xiàn)在V L S I ( V e r yL a r g eS i z e I n t e g r a t e d ，超大規(guī)模集成) 和U L S I( U l t

4、 r aL a r g e S i z e I n t e g r a t e d ，甚大規(guī)模集成) ，S O C ( S y s t e mO n C h i p ，系統(tǒng)集成芯片) ，晶體管的柵尺寸在過去的3 0 年中大約減小了2 0 0 倍( 從1 9 7 0 年代的l O u m 到當前的6 5 r i m ) 。晶體管和特征尺寸的按比例縮小使得晶體管的密度指數(shù)型的增長。晶體管尺寸按比例縮小最大的成就是晶體管的性能得到了迅猛的提高