0.13um柵極多晶硅低壓沉積工藝穩(wěn)定性研究

1、 上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文 0.13um 柵極多晶硅低壓沉積工藝穩(wěn)定性研究 柵極多晶硅低壓沉積工藝穩(wěn)定性研究 碩 士 研 究 生：何華忠 學(xué) 號：1082102079 導(dǎo) 師：黃其煜 副 導(dǎo) 師：范建國 申 請 學(xué) 位：工程碩士 學(xué) 科：集成電路工程 所 在 單 位：微電子學(xué)院 答 辯 日 期：2012 年 05 月 授予學(xué)位單位：上海交通大學(xué) V 0.13um 柵極多晶硅低壓沉積工藝穩(wěn)定性研究 摘 要 半導(dǎo)

2、體制造技術(shù)的飛速發(fā)展使得器件線寬尺寸越來越小，這對工藝的要求也越來越高。國內(nèi)某集成電路制造公司在正式量產(chǎn) 0.13µm 產(chǎn)品時, 發(fā)現(xiàn)大量的缺陷，其中以爐管工藝制程中的柵極多晶硅的電阻的均勻性問題最為明顯,導(dǎo)致產(chǎn)品整體良率下降， 甚至大量產(chǎn)品報廢。 而柵極多晶硅的電阻的均勻性主要表現(xiàn)為機臺與機臺之間的差異、同一機臺不同位置的差異。 本文主要研究了 0.13µm 柵極多晶硅的電阻的均勻性與硅烷（SiH4）的初始流量以及

3、初始流量與多晶硅晶粒生長尺寸的關(guān)系, 得出了多晶硅電阻的均勻性與硅烷的初始流量成正比以及初始流量與多晶硅晶粒生長尺寸成反比的結(jié)論。結(jié)合實驗設(shè)計的方法，運用 TEM 找出了多晶硅電阻均勻性與多晶硅晶粒尺寸相關(guān)，并提出柵極多晶硅電阻的均勻性與硅烷的初始流量的關(guān)系， 實驗結(jié)果表明,可以通過監(jiān)測硅烷的初始流量來控制工藝的穩(wěn)定性， 擴展了工藝的兼容性(即對于多晶硅的電阻的均勻性窗口小的產(chǎn)品由原來控制在兩臺生產(chǎn)擴展到所有機臺), 產(chǎn)品良率由原來的