1.06μm半導(dǎo)體激光器材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與外延生長(zhǎng)

1、分類號(hào)：U DC ：密級(jí)：可公開(kāi)編 號(hào)：1 ．0 6 1 噸m 半導(dǎo)體激光器材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與外延生長(zhǎng)1 ．0 6 1 u L m E m i t t i n gW a v e l e n g t h S e m i c o n d u c t o rL a s e rM a t e r i a l S t u r c t u r ed e s i g na n dE p i t a x i a l G r o w t h學(xué)位授予單位及代碼

2、：長(zhǎng)春理工大學(xué) ( 1 0 1 8 6 )學(xué)科專業(yè)名稱及代碼：絲電王堂量固簽電王堂! Q Z Z 墨Q 圣2研究方向：圭昱簽邀當(dāng)塑堡皇堇查 申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：亟 ±指導(dǎo)教師：奎鹽 研 究 生：蘊(yùn)逛皇論文起止時(shí)間：2 0 1 2 ．9 —2 0 1 3 ．1 2摘 要本文通過(guò)理論分析和軟件模擬，設(shè)計(jì)了I n G a A s ／G a A s 材料的半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)。利用L P —M O C V D ( 低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積) 系統(tǒng)

3、進(jìn)行實(shí)驗(yàn)生長(zhǎng)，通過(guò)對(duì)比試驗(yàn)和常溫P L ( 光熒光) 測(cè)試，詳細(xì)討論了量子阱中I n 的組分、生長(zhǎng)速率、生長(zhǎng)溫度、V ／I I I L E 值和襯底偏向角度等條件對(duì)樣品發(fā)光特性的影響。經(jīng)測(cè)試，樣品在常溫下P L 發(fā)光F W H M ( 半峰寬)可以達(dá)到1 5 ．2 n m 。在原有結(jié)果基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了G a l n P 應(yīng)變緩沖層和G a A s P 應(yīng)變補(bǔ)償勢(shì)壘層，來(lái)進(jìn)一步改善樣品的發(fā)光特性。通過(guò)實(shí)驗(yàn)和P L 測(cè)試，確定G a l n P

4、 的生長(zhǎng)條件，該條件下G a l n P 室溫下P L 發(fā)光F W H M 可以達(dá)到1 2 ．8 n m 。詳細(xì)討論了勢(shì)壘生長(zhǎng)溫度、襯底偏向角和V ／I I I L k值對(duì)G a A s P 生長(zhǎng)質(zhì)量的影響，探究了G a A s P 的最佳生長(zhǎng)條件，在該條件下，G a A s P 的常溫P L 測(cè)試F W H M 可以達(dá)到2 5 ．4 n m 。關(guān)鍵詞：黼 l n G a A s ／G a A s P L G a I n P G a ^