pcvd法制備fe6.5wt％si高硅鋼工藝及性能研究

1、分類號：U D C ：密級：猷易蔫利} ．撥 夫·暈碩士學位論文P C V D 法制備F e ．6 ．5 w t ％S i 高硅鋼工藝及性能研究S t u d y o n t e c h n o l o g i c a la n d p r o p e r t i e so f F e 一6 ．5 w t ％S i塑曼! 璺! 墮魚Y 里g 塑周磊指導教師姓名：申請學位級別：論文定稿日期：學位授予單位：學位授予日期：潘應君 教

2、授武漢科技大學材料與冶金學院答辯委員會主席：評 閱 人：向志東教授謝光遠教授陳宇教授級高工武漢科技大學碩士學位論文 第1 頁摘要F e 一6 ．5 w t ％S i 高硅鋼具有高磁導率，近于零的磁致伸縮系數(shù)，中高頻鐵損低和矯頑力小等特性，因此被廣泛應用于發(fā)電機、高頻高速電機及變壓器等。但由于其脆性大，難以通過常規(guī)方法加工成型。本研究利用P C V D 法在0 ．1 m m 厚的純鐵片表面沉積硅，再進行高溫擴散的方法成功制備了F e 一6

3、 ．5 w t ％S i 薄片。綜合利用X R D 、S E M 、E D S 、A F M 等測試手段對樣品進行深入細致的分析，討論了各種工藝參數(shù)對F e ．S i 薄膜的表面相、表面及截面的微觀結(jié)構(gòu)、顯微硬度分布及磁性能等因素的影響。研究結(jié)果表明：沉積制備的高硅F e —S i 薄膜以致密的顆粒膜呈現(xiàn)，其組成成分為B C C結(jié)構(gòu)的F e —S i 固溶體和F e 3 S i 相。以1 0 ％S i H 4 和9 0 ％A r 混合氣

4、體作為滲源氣，在5 0 0 ℃下沉積2 0 m i n ，所得到的表層硅含量高達4 0 ．5 ％。另外，P C V D 處理時，溫度因素對樣品表層硅含量的影響最為顯著，隨著溫度升高，表層硅含量先增加，達到一定程度后降低。而沉積時間和氣體流量比對樣品表層硅含量的影響則相對較小。然后在工業(yè)純H 2 的保護下，于1 0 5 0 “ C 保溫6 0 m i n 就能獲得性能優(yōu)良的高硅梯度硅鋼，此時F e ．S i 薄膜的致密性和均勻性均得到顯著