熱氧化生長sio2鈍化膜與雙層減反射膜技術(shù)的研究

1、 I 申請上海交通大學碩士學位論文 熱氧化生長 熱氧化生長 SiO2 鈍化膜與雙層減反射膜技術(shù)的研究 鈍化膜與雙層減反射膜技術(shù)的研究 學 校： 學 校： 上海交通大學 院 系： 院 系： 理學院物理系 班 級： 班 級： B0707291 學 號： 學 號： 1070729024 碩士學生： 碩士學生： 葉發(fā)敏 碩士領(lǐng)域： 碩士領(lǐng)域： 光學工程 導 師： 導 師：

2、馮仕猛（副教授） 上海交通大學物理系 上海交通大學物理系 2010 年 3 月 上海交通大學碩士學位論文 摘要 第 I 頁 熱氧化生長 SiO 熱氧化生長 SiO2鈍化膜與雙層減反射膜技術(shù)的研究 鈍化膜與雙層減反射膜技術(shù)的研究 摘 要 高效晶體硅太陽電池是光伏電池領(lǐng)域的熱門研究之一。半導體硅表面

3、存在大量懸掛鍵、斷鍵等不飽和鍵，容易在禁帶形成復合中心能級，加大載流子在表面復合消失，嚴重影響少子壽命，從而降低電池光電轉(zhuǎn)換效率。通過晶體硅表面鈍化技術(shù)能夠很好地去除這些復合中心，降低硅的表面態(tài)密度，從而提高晶體硅太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率。傳統(tǒng)表面鈍化技術(shù)是使用 PECVD 的方法在晶體硅表面沉積氮化硅薄膜， 但熱氧化方法生長的 SiO2 薄膜與襯底硅的晶格系數(shù)更加匹配，鈍化效果更佳。 熱氧化生長 SiO2 鈍化膜技術(shù)采用干氧氧化方法在晶體

4、硅表面生長SiO2 薄膜，主要原因是干氧氧化生長的 SiO2 薄膜結(jié)構(gòu)致密、均勻，鈍化效果好。SiO2 薄膜的鈍化效果與其質(zhì)量密切相關(guān)，如果缺陷密度大或污染嚴重，反而會嚴重影響電池性能。實驗通過調(diào)整氧化工藝參數(shù)，包括氧化溫度、氮氣流量、氧氣流量和氧化時間等，得到了最適合晶體硅表面鈍化的工藝參數(shù)， 即 780℃的氧化溫度、 10L·min-1 的氮氣流量、 6 L·min-1氧氣流量和 25min 的氧化時間。傳統(tǒng)氧化