6H-SiC表面熱氧化生長(zhǎng)的SiO-,2-特性研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文利用慢正電子湮滅多普勒展寬譜和紅外反射光譜等方法研究了SiO2/SiC熱氧化層中的空位型缺陷和氧化層的致密性，以及退火前后的變化，并以SiO2/Si作為對(duì)比樣品，說(shuō)明C元素的存在及其誘生的空位型缺陷對(duì)SiO2/SiC氧化層質(zhì)量和SiCMOS擊穿特性造成的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，在沒有經(jīng)過退火處理的SiO2/SiC表面氧化層中含有比較多的空位型缺陷，退火過程使得空位型缺陷的濃度大幅度降低。C元素在SiO2/SiC系統(tǒng)氧化層中生成的空位型缺

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