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1、ICS 97.030Y 60中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T ×××××—××××家用電器專(zhuān)用智能功率模塊技術(shù)規(guī)范Technical Specification of Intelligent Power Module for Household Appliances(征求意見(jiàn)稿)××××-××
2、;-××發(fā)布 ××××-××-××實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量檢驗(yàn)檢疫總局 中 國(guó) 國(guó) 家 標(biāo) 準(zhǔn) 化 管 理 委 員 會(huì) 發(fā) 布GB/T ××××—××××1家用電器專(zhuān)用智能功率模塊技術(shù)規(guī)范1 范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了家用和類(lèi)似用途電器專(zhuān)用智
3、能功率模塊的物理接口、功能、性能以及電磁兼容性、安全、可靠性等的技術(shù)要求與測(cè)試方法,并對(duì)智能功率模塊的運(yùn)輸、貯存等做出相關(guān)規(guī)定。本標(biāo)準(zhǔn)適用于家用和類(lèi)似用途電器的智能功率模塊。2 規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T 2421.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 概述和指南GB/T 2423
4、.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A:低溫GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B:高溫GB/T 2423.10-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fc:振動(dòng)(正弦)GB/T 2423.17-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ka:鹽霧GB/T 2423.22-2012 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分
5、:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)N:溫度變化GB/T 2423.50-2012 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cy:恒定濕熱 主要用于元件的加速試驗(yàn)GB/T 2423.60-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度GB/T 2828.1-2012 計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序 第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB 4343.1-2018 家用電器、電動(dòng)工具和類(lèi)似器
6、件的電磁兼容要求 第1部分:發(fā)射GB/T 4343.2-2009 家用電器、電動(dòng)工具和類(lèi)似器件的電磁兼容要求 第2部分:抗擾度GB 4706.1-2005 家用和類(lèi)似用途電器的安全 第1部分:通用要求GB/T 16935.1-2008 低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合 第1部分:原理、要求和試驗(yàn)GB/T 17626.2-2018 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 靜電放電抗擾度試驗(yàn)GB/T 17626.4-2018 電磁兼容
7、試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)GB/T 17626.5-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)GB/T 17626.6-2017 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度GB/T 17626.11-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)GB/T 29309-2012 電工電子產(chǎn)品加速應(yīng)力試驗(yàn)規(guī)程 高加速壽命試驗(yàn)導(dǎo)則GB/T 29332-20
8、12 半導(dǎo)體器件 第9部分:絕緣雙極晶體管(IGBT) IEC 60749-5:2017 Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods - Part 5: Steady-state temperature humidity bias life testIEC 60749-23:2004+AMD1:2011 CSV Semiconductor d
9、evices – Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating lifeIEC 60749-26:2018 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity
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