其他專用設備行業(yè)：ccz新工藝革新，設備高端力推產業(yè)升級-20180528-安信證券-13頁

1、1 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。 各項聲明請參見報告尾頁。 CCZ CCZ 新工藝革新，設備高端力推產業(yè)升級 新工藝革新，設備高端力推產業(yè)升級■CCZ CCZ 技術，光伏單晶硅技術的重大變革。 技術，光伏單晶硅技術的重大變革。當前廣泛使用的單晶硅生長技術為 RCZ 技術， 最高達到一爐 4~5 根晶棒拉制， 已接近上限。 CCZ技術可實現(xiàn)一爐 8~10 根晶棒拉制

2、，效率進一步提升、成本大幅降低，且拉制晶棒均勻性好、含氧量低、電阻率均衡，產品質量更加優(yōu)良，是單晶硅生長技術的趨勢性變革。 CCZ 技術已誕生超過 20 年。長期以來，兩大問題困擾 CCZ 技術大規(guī)模生產： 1） CCZ 技術對于復投料質量要求高， 需要使用高品質顆粒料；2）坩堝使用壽命短，限制了 CCZ 技術復用次數(shù)。目前，F(xiàn)BR（硅烷流化床法） 可制備高品質顆粒料， 通過特殊設計的高品質坩堝可達到 CCZ技術使用壽命要求，這兩項問題

3、的突破使得 CCZ 技術推廣成為可能。 ■國外 國外 CCZ CZ 技術僅有少數(shù)企業(yè)實現(xiàn)工業(yè)生產， 技術僅有少數(shù)企業(yè)實現(xiàn)工業(yè)生產，協(xié)鑫有望成為國內領跑 協(xié)鑫有望成為國內領跑者。 者。目前國外僅有美國的 SunEdison、GT-AT 等個別企業(yè)實現(xiàn)了 CCZ技術的工業(yè)生產。 用于生產 CCZ 技術原料的 FBR 顆粒硅也僅少數(shù)國外企業(yè)實現(xiàn)了量產。保利協(xié)鑫能源 2017 年 3 月完成收購美國 SunEdison的相關資產， 從而獲得了了

4、 CCZ 及 FRB 的技術專利。 公司 4 月公告將在云南曲靖建設 20GW 單晶硅產能，計劃投資 90 億元。 協(xié)鑫是我國多晶硅龍頭企業(yè)，擁有 24GW 多晶硅產能。近年來，隨著金剛石切片技術的推廣，單晶硅制備成本大幅下降，與多晶硅相比性價比優(yōu)勢顯現(xiàn)， 單晶硅組件占比大幅上升。在此背景下，協(xié)鑫實行“單多晶并行”戰(zhàn)略，通過收購 SunEdison 資產站在 CCZ 技術制高點，有望引領單晶硅生長工藝變革，掀起新一波產能競賽大潮。 ■硅

5、片廠產能競賽，設備商將受益訂單迎來快速增長期。 硅片廠產能競賽，設備商將受益訂單迎來快速增長期。根據(jù)公司公告，截至 2018 年底，單晶硅領先者隆基將具備 28GW 單晶硅產能，且其計劃 2020 年達到 45GW；中環(huán)將具備 23GW 產能。協(xié)鑫當前僅具有1GW 產能，但其大舉進軍意圖明顯。據(jù)我們測算，采用 CCZ 技術建設1GW 單晶硅產能，約需硅生長爐 100~125 臺，按照單臺設備 150 萬測算，設備總價值約為 1.5~1.

6、88 億元?？紤]切磨拋等輔助設備，1GW 設備投資超 2 億元，設備商將受益擴產訂單快速增長。 推薦 推薦：天通股份、晶盛機電。 天通股份、晶盛機電。 ■風險提示：下游擴產不及預期，市場競爭加劇 風險提示：下游擴產不及預期，市場競爭加劇簡稱 簡稱 股價 （元） 股價 （元）EPS P/E PB 評級 評級 2017A 2018E 2019E 2017A 2018E 2019E 天通 天通股份 股份 10.16 0.1

7、9 0.37 0.53 45.65 27.71 19.25 2.20 買入-A 晶盛 晶盛機電 機電 16.99 0.39 0.55 0.73 53.27 31.01 23.39 5.87 買入-A 資料來源：wind、安信證券研究中心（股價按照公司 2018-5-25 收盤價） Tabl e_Title 2018 年 05 月 28 日 其他專用設備 其他專用設備 Tabl e_BaseInfo 行業(yè)分

8、析 行業(yè)分析 證券研究報告 投資評級 投資評級 領先大市 領先大市-A 維持評級 維持評級 Tabl e_FirstStock 首選股票 首選股票 目標價 目標價 評級 評級 600330 天通股份 12.30 買入-A 300316 晶盛機電 23.56 買入-A Tabl e_Chart 行業(yè)表現(xiàn) 行業(yè)表現(xiàn) 資料來源：Wind 資訊 % 1M 3M 12M 相對收益 相對收益 4.65 9.01 -0

9、.14 絕對收益 絕對收益 6.24 3.86 9.51 王書偉 王書偉 分析師SAC 執(zhí)業(yè)證書編號：S1450511090004 wangsw@essence.com.cn 021-35082037 李哲 李哲 分析師 SAC 執(zhí)業(yè)證書編號：S1450518040001 lizhe3@essence.com.cn 相關報告 相關報告 -20%-14%-8%-2%4%10%16%22%2017-05 2017-09 2

10、018-01其他專用設備 滬深300 行業(yè)分析/其他專用設備 3 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。 各項聲明請參見報告尾頁。 1. CCZ 技術優(yōu)勢明顯，是單晶硅片生長技術方向 技術優(yōu)勢明顯，是單晶硅片生長技術方向 1.1. RCZ 是當前單晶硅生長技術主流 是當前單晶硅生長技術主流 根據(jù)晶體生長方式不同，當前制備單晶硅技術主要分為懸浮區(qū)熔法（FZ 法）和直拉法（C

11、Z法）兩種，直拉法相對來說成本更低，生長速率較快，更適合大尺寸單晶硅棒的拉制，目前 目前我國 我國 90%以上的太陽能級單晶硅通過直拉法進行生產，預計今后仍將大比例沿用。 以上的太陽能級單晶硅通過直拉法進行生產，預計今后仍將大比例沿用。 直拉法的原理是將高純度的多晶硅原料放臵在石英坩堝中加熱熔化，再將單晶硅籽晶插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會在籽晶下端生長，并隨著籽晶的提拉晶體逐漸生長形成晶棒。 圖 1：直拉法

12、原理示意圖 直拉法原理示意圖 資料來源：百度文庫，安信證券研究中心 最初的直拉法是分批直拉法（Batch Czochralski） ，一個坩堝只能拉制一根晶棒，并且在拉制完以后坩堝因冷卻破裂而無法重復使用。 目前單晶硅工業(yè)生產多采用 RCZ 多次拉晶技術（Recharged Czocharlski） ，是在分批直拉法的基礎上給設備增加加料裝臵 增加加料裝臵改進而來。 RCZ 法在每次拉制完硅晶棒以后使坩堝保持高溫，并通過加料裝臵將多晶硅