核殼量子點(diǎn)合成與性能表征.pdf

1、在如今的發(fā)光材料領(lǐng)域，量子點(diǎn)扮演著重要的角色。由于核量子點(diǎn)在光學(xué)性質(zhì)與電學(xué)性質(zhì)上的局限性，核殼量子點(diǎn)成為廣大研究者關(guān)注的研究方向。本論文旨在探索設(shè)計(jì)不同殼層結(jié)構(gòu)以制備優(yōu)異光學(xué)性質(zhì)的量子點(diǎn)。合成方法使用反應(yīng)溫度較低的單前驅(qū)體分解法，方便快捷，能耗較低。
　　通過單前驅(qū)體或者雙前驅(qū)體的合成方法，不同殼層厚度的閃鋅礦晶型CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)已經(jīng)有所研究，本文對(duì)單前驅(qū)體合成方法的油酸含量與鎘鹽含量進(jìn)行探討，得到單前驅(qū)體合成條件下最優(yōu)

2、的CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)。該種量子點(diǎn)具有良好的尺寸與光學(xué)單分散性，光學(xué)上也具有極高的性質(zhì)與重復(fù)性。
　　在CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)體系的基礎(chǔ)上，本文工作還進(jìn)一步合成了CdSe/CdS/ZnS量子點(diǎn)體系。由于CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)能帶的準(zhǔn)Ⅱ型結(jié)構(gòu)，硫化鎘殼層對(duì)電子的離域效應(yīng)抑制作用不強(qiáng)，以至于該類量子點(diǎn)表面較為敏感，往往需要包裹較厚的硫化鎘殼層才能得到良好的光學(xué)性質(zhì)。硫化鋅具有的較大帶隙，可以給電子與空穴提供很好的限域

3、能力，大大減弱量子點(diǎn)的表面敏感性，進(jìn)而提高量子點(diǎn)的穩(wěn)定性與各方面的性質(zhì)。通過對(duì)已經(jīng)包裹不同層數(shù)的CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)進(jìn)一步包裹硫化鋅層，我們發(fā)現(xiàn)單顆量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)有了巨大的提高，在同樣的吸收能力下，帶有硫化鋅層的核殼量子點(diǎn)在高光強(qiáng)下的光學(xué)性質(zhì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于不帶硫化鋅層的普通CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)。
　　除了上述核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的合成與表征，本工作還探索了ZnCdS合金殼層的量子點(diǎn)。CdSe/ZnCdS核殼量子點(diǎn)擁有CdSe/C