硅納米線壓阻系數(shù)尺度效應(yīng)建模研究.pdf

1、慣性器件由MEMS向NEMS發(fā)展，器件敏感結(jié)構(gòu)尺寸由微米級(jí)向納米級(jí)轉(zhuǎn)變，壓阻效應(yīng)的靈敏度接近了檢測(cè)的極限，進(jìn)一步提高靈敏度已非常困難，但是壓敏電阻尺寸達(dá)到納米量級(jí)時(shí)，其受到拉伸時(shí)電阻值發(fā)生巨大變化，可以在硅納米線等材料中觀察到。壓阻效應(yīng)的大小體現(xiàn)于壓阻系數(shù)之上，硅納米線壓阻系數(shù)比常規(guī)硅壓阻系數(shù)高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，微小型化程度高，優(yōu)勢(shì)突出。
　　影響壓阻系數(shù)的因素有摻雜濃度和幾何尺寸，本文基于此對(duì)硅納米線壓阻系數(shù)尺度效應(yīng)展開了研究，對(duì)不同

2、摻雜濃度、不同尺度下的硅納米線進(jìn)行模擬仿真，并建立了壓阻系數(shù)尺度模型，結(jié)果顯示:硅納米線壓阻系數(shù)隨著摻雜濃度增大而減小;硅納米線壓阻系數(shù)隨著長(zhǎng)度的增加而緩慢增大;硅納米線壓阻系數(shù)隨著寬度（或截面積的增大）而劇烈減小。本文對(duì)文獻(xiàn)中報(bào)道的實(shí)際制備的硅納米線的尺寸進(jìn)行模擬仿真，與測(cè)試結(jié)果進(jìn)行了比對(duì)與分析，一定程度上驗(yàn)證了模型的正確性;通過與本組實(shí)際制備的的硅納米線的尺寸進(jìn)行模擬仿真，并與本組實(shí)測(cè)結(jié)果進(jìn)行對(duì)比分析，發(fā)現(xiàn)本模型存在一定誤差，有繼續(xù)