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文檔簡介
1、金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)氣敏傳感器因其較低的價格、較高的響應(yīng)值、較短的響應(yīng)和恢復(fù)時間等諸多優(yōu)勢而受到人們的普遍關(guān)注。而原位漫反射傅里葉變換紅外光譜(in situ DRIFTS)技術(shù)可模擬現(xiàn)實條件下氣體與氣敏膜界面的反應(yīng)及其進程,進而為研究其氣敏機理提供理論基礎(chǔ)。本文首先采用水熱法合成了SnO2和SnO2/rGO兩種氣敏材料,然后采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)制備了SnO2和SnO2/rGO兩種氣體傳感器,接著研究了這兩種氣敏傳感器對乙醚、四氯乙烯
2、、丙烯腈、乙腈、乙胺和三氯乙烯六種有毒氣體的氣敏性能,最后采用in situ DRIFTS技術(shù)研究了這六種有毒氣體分別在SnO2和SnO2/rGO氣敏膜界面的吸附和化學(xué)反應(yīng)過程,得出了如下主要結(jié)論:
?。?)水熱法合成的SnO2和SnO2/rGO兩種氣敏膜的SnO2晶體結(jié)構(gòu)均為金紅石結(jié)構(gòu);前者的比表面積為143.702 m2/g,后者的比表面積為187m2/g。
?。?)SnO2/rGO和SnO2氣敏材料對于乙醚氣敏性能
3、的最佳工作溫度均為380℃,濃度檢測極限均達1ppm。在最佳工作溫度下,SnO2/rGO與SnO2相比,其對乙醚的氣敏值高,且響應(yīng)恢復(fù)時間短。In situ DRIFTS測試結(jié)果表明:CH3CH2?、CH3CH2O?、CH3CH2OH、HCHO、CH3CHO、C2H4、H2O和CO2均在SnO2/rGO和SnO2氣敏膜表面生成。
(3)SnO2/rGO氣敏材料對于四氯乙烯氣敏性能的最佳工作溫度為350℃,而SnO2的氣敏性隨溫
4、度升高一直升高,濃度檢測限均可達1ppm。在350℃,SnO2/rGO對四氯乙烯的氣敏值比SnO2高,且其響應(yīng)恢復(fù)時間較SnO2的短。In situ DRIFTS測試結(jié)果表明:TCAC、COCl2、Cl2和CO2均在SnO2/rGO和SnO2氣敏膜表面生成。
?。?)SnO2/rGO氣敏材料對于丙烯腈氣敏性能的最佳工作溫度為380℃,而SnO2的氣敏性隨溫度升高一直升高,濃度檢測限均可達5ppm。在380℃,SnO2/rGO對丙
5、烯腈的氣敏值比SnO2高,且其響應(yīng)恢復(fù)時間較SnO2的短。In situ DRIFTS測試結(jié)果表明:CH2=CH-CONH2、CH2=CHCOOH、-NCO、NH3、N2、H2O和CO2均在SnO2/rGO和SnO2氣敏膜表面生成。
(5)SnO2/rGO氣敏材料對于乙腈氣體敏感的最佳工作溫度為380℃,而 SnO2的氣敏性隨溫度升高一直升高,濃度檢測限均達1ppm。在380℃,SnO2/rGO對乙腈的氣敏值比SnO2高,且其
6、響應(yīng)恢復(fù)時間較SnO2的短。In situ DRIFTS測試結(jié)果表明:CH3O、CH2CNH、CHOO、HCN、H2O和CO2均在SnO2/rGO和SnO2氣敏膜表面生成。
?。?)SnO2/rGO和 SnO2氣敏材料對乙胺氣體的氣敏值在研究的室溫—400℃溫度范圍內(nèi)一直增大,檢測濃度限均為1ppm。400℃時,SnO2/rGO與 SnO2相比,其對乙胺的氣敏值高,且響應(yīng)恢復(fù)時間短。In situ DRIFTS測試結(jié)果表明:CH
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