儀器分析重點(diǎn)整理【劉密新第二版】

1、第二章 第二章 原子發(fā)射光譜法（ 原子發(fā)射光譜法（AES）原子發(fā)射光譜法： 原子發(fā)射光譜法：是根據(jù)處于激發(fā)態(tài)的待測(cè)元素原子回到基態(tài)時(shí)發(fā)射的特征譜線對(duì)待測(cè)元素進(jìn)行分析的方法。元素的特征譜線： 元素的特征譜線：周期表中每一個(gè)元素都能顯示出一系列的光譜線，這些光譜線對(duì)元素具有特征性和專一性，稱為元素的特征譜線。激發(fā)電位： 激發(fā)電位：原子外層電子由基態(tài)躍遷到高能級(jí)所需的能量，以 eV 表示。第一共振線： 第一共振線：由第一激發(fā)態(tài)向基態(tài)躍遷的能

2、量最小，最容易發(fā)生，強(qiáng)度最大，是該元素最強(qiáng)的譜線。原子線： 原子線：原子外層電子的躍遷所發(fā)射的譜線，以Ⅰ表示，如 Na(Ⅰ)。電離電位： 電離電位：原子受激發(fā)后得到足夠能量而失去電子所需的能量稱為電離電位。離子線： 離子線：離子的外層電子躍遷稱為離子線，以Ⅱ和Ⅲ表示。原子發(fā)射光譜分析經(jīng)歷的過程： 原子發(fā)射光譜分析經(jīng)歷的過程：蒸發(fā)→原子化→激發(fā)定性分析： 定性分析：由于待測(cè)原子結(jié)構(gòu)不同，因此發(fā)射的譜線特征不同。定量分析： 定量分析：由于待

3、測(cè)原子濃度不同，因此發(fā)射強(qiáng)度不同。原子發(fā)射光譜的特點(diǎn)： 原子發(fā)射光譜的特點(diǎn)：1、具有多元素同時(shí)分析的能力；2、既可以定性也可以定量分析；3、分析速度快；4、具有較高的靈敏度和選擇性;5、檢出限低（ng/ml-pg/ml);6、儀器相對(duì)簡單（與 X 射線熒光，ICP 質(zhì)譜法相比）缺點(diǎn)： 缺點(diǎn)：不適合部分非金屬元素如鹵素、惰性氣體元素等分析。1.固體進(jìn)樣較困難，對(duì)氣體和非金屬靈敏度低。2.霧化效率低。3.設(shè)備和維持費(fèi)高。分餾效應(yīng)： 分餾效應(yīng)

4、：不同物質(zhì)因沸點(diǎn)不同而導(dǎo)致蒸發(fā)速度不同的效應(yīng)。趨膚效應(yīng)： 趨膚效應(yīng)：當(dāng)交流電通過導(dǎo)體時(shí)，由于感應(yīng)作用引起導(dǎo)體截面上的電流分布不均勻，越接近導(dǎo)體表面，電流密度越大，這種現(xiàn)象稱為趨膚效應(yīng)?；w效應(yīng)： 基體效應(yīng)：基體效應(yīng)指試樣組成對(duì)譜線強(qiáng)度的影響?！緳z測(cè)系統(tǒng)】電荷耦合陣列檢測(cè)器（ 【檢測(cè)系統(tǒng)】電荷耦合陣列檢測(cè)器（CCD）： ）：CCD 是一種新型固體成像器件，它是在大規(guī)模硅集成電路工藝基礎(chǔ)上研制而成的模擬集成電路芯片，借助必要的光學(xué)和電路系統(tǒng)

5、，它可以將景物圖象通過輸入面空域上逐點(diǎn)的光電信號(hào)轉(zhuǎn)換、儲(chǔ)存和傳輸，在其輸出端產(chǎn)生一視頻信號(hào)，并經(jīng)末端顯示器同步顯示出人眼可見的圖象。在原子發(fā)射光譜中采用 在原子發(fā)射光譜中采用 CCD 的主要優(yōu)點(diǎn)是： 的主要優(yōu)點(diǎn)是：1.速度快，35S 檢測(cè) 70 種元素；2.動(dòng)態(tài)響應(yīng)范圍和靈敏度達(dá)到甚至超過 PMT；3.性能穩(wěn)定，耐過度曝光，比 PMT 結(jié)實(shí)耐用。1）激發(fā)光源 ）激發(fā)光源作用：提供足夠的能量使樣品蒸發(fā)、解離、原子化、激發(fā)和躍遷。2）分光系