基于垂直布里奇曼法的InSb和InI晶體生長及性能研究.pdf

1、半導體探測器作為輻射探測介質(zhì)的使用始于20世紀60年代，因其具有高的能量分辨率、短脈沖上升時間、小體積以及線性范圍廣等優(yōu)點，使得很多復雜能譜的精細結(jié)構(gòu)得到了很好的研究并廣泛應用于各種輻射探測領(lǐng)域。本課題分別以銻化銦(InSb)和碘化銦(InI)兩種化合物半導體為研究對象，采用垂直布里奇曼法生長了InSb和InI單晶體，并對 InSb和InI單晶的質(zhì)量和性能加以表征和分析，為今后半導體探測器的發(fā)展和應用奠定良好的物質(zhì)基礎(chǔ)。
　　首先

2、，介紹了化合物半導體材料和探測器的研究背景，進而闡述了InSb和InI兩種半導體材料的研究現(xiàn)狀，最后講述了本論文的研究目的和意義。
　　其次，介紹了幾種常見的化合物晶體生長技術(shù)，進而介紹了晶體生長過程中幾種常見的缺陷，為接下來的實驗部分提供了理論指導。
　　再次，采用垂直布里奇曼法制備了 InSb單晶，找到了一種適合InSb生長的工藝參數(shù)，經(jīng)線切割、研磨、拋光得到InSb單晶片。通過X射線粉末衍射儀、掃描電子顯微鏡-X射線能