小極化子類型半導體材料的光介電性質研究.pdf

1、光介電或光電容效應是指在入射光的作用下，介電材料的介電常數發(fā)生變化的現象。真實材料中的光介電效應可正可負，其中正光介電效應具有重要的應用價值。本文關注具有正光介電效應的小極化子類型半導體材料，通過實驗研究該類典型材料的光介電性質，并在理論上闡述其光介電性質的規(guī)律性。
　　第一章概述了光介電效應的特點和實際應用，介紹了光介電效應的歷史和當前國內外的研究現狀，闡明本文的選題依據和研究內容。
　　第二章詳細介紹本工作的實驗方法，包

2、括樣品制備和測量方法。
　　第三章主要研究了在不同強度的光照下，小極化子類型半導體材料金紅石二氧化鈦的介電性質。實驗結果表明在50?400 Hz交流頻率范圍內，紫外光照可極大提高金紅石的介電常數，同時降低介電損耗。
　　第四章分析了小極化子類型半導體材料的小極化子的動力學過程以及在光照下的介電常數增大的原因，推導出描述光照下小極化子動力學過程的數學公式。利用推導的數學公式，擬合了金紅石二氧化鈦的介電常數與光照時間的依賴關系，