異質(zhì)結(jié)中極化子的性質(zhì).pdf

1、本文對(duì)異質(zhì)結(jié)界面處導(dǎo)帶彎曲勢(shì)采用三角勢(shì)近似，首先討論穩(wěn)態(tài)電場(chǎng)下電場(chǎng)、雜質(zhì)位置、電子面密度對(duì)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)中束縛極化子結(jié)合能的影響，其次，討論Rashba效應(yīng)影響下，半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)中自由極化子基態(tài)能量的能級(jí)分裂情況。 對(duì)GaAs/AlxGa1-xAs異質(zhì)結(jié)，采用三角勢(shì)近似，考慮外界恒定電場(chǎng)以及體縱光學(xué)聲子和兩支界面光學(xué)聲子的影響，應(yīng)用改進(jìn)的LLP中間耦合方法處理電子－聲子相互作用和雜質(zhì)－聲子相互作用，計(jì)算了極化子結(jié)合能隨電場(chǎng)強(qiáng)度、雜質(zhì)

2、位置和電子面密度的變化關(guān)系。結(jié)果表明：雜質(zhì)態(tài)結(jié)合能隨電場(chǎng)的增強(qiáng)而緩慢增大。結(jié)合能隨雜質(zhì)位置、電子面密度的變化與無(wú)電場(chǎng)時(shí)相同。IO聲子對(duì)結(jié)合能的負(fù)貢獻(xiàn)受電子面密度的影響顯著增加，LO聲子的負(fù)貢獻(xiàn)相對(duì)IO聲子貢獻(xiàn)較小。電場(chǎng)對(duì)所有聲子模貢獻(xiàn)的影響并不顯著。隨雜質(zhì)遠(yuǎn)離界面，總的結(jié)合能及聲子對(duì)總結(jié)合能的負(fù)貢獻(xiàn)出現(xiàn)極大值。另外，三角勢(shì)的選取說(shuō)明，導(dǎo)帶彎曲引起的勢(shì)壘變化不容忽視。還需指出的是，電子像勢(shì)對(duì)結(jié)合能的影響很小，可以忽略。 同樣對(duì)該異

3、質(zhì)結(jié)，考慮Rashba自旋－軌道相互作用對(duì)極性半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)中近界面處極化子基態(tài)能量的影響。采用LLP中耦合方法處理電子－聲子相互作用。結(jié)果表明：由于異質(zhì)結(jié)構(gòu)的空間反演非對(duì)稱性而產(chǎn)生的Rashba效應(yīng)使極化子基態(tài)能量分裂為上下兩支，而且Rashba自旋－軌道相互作用能與總的基態(tài)能及其它能量成分之間的比例關(guān)系，隨電子面密度和電子波矢的變化非常顯著，分裂能與聲子能量處于同一數(shù)量級(jí)，此效應(yīng)不可忽略。Rashba自旋－軌道相互作用使得異質(zhì)結(jié)中極化