石墨烯的CVD制備及其基于鐵電陶瓷極化的導電性能調(diào)控.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、石墨烯是一種由碳原子六角晶格排列形成的二維單原子層蜂窩狀結構材料，其優(yōu)異的電學特性使其在微納器件領域具有廣泛的應用前景，本文在采用化學氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition，CVD）獲得大面積石墨烯薄膜的基礎上，以PZT陶瓷為目標襯底轉移石墨烯，研究利用PZT極化實現(xiàn)石墨烯導電性能的調(diào)控。
　　本文首先研究了石墨烯的C VD生長工藝。以銅箔為襯底，以甲烷、氫氣和氬氣為工藝氣體，通過優(yōu)化氣體流量和壓強等參數(shù)實

2、現(xiàn)了大面積單層石墨烯的制備，拉曼光譜測試顯示所制備的石墨烯薄膜缺陷少。經(jīng)四探針和霍爾測試，室溫下石墨烯薄膜的方阻為613Ω/□~4079Ω/□，載流子濃度為2.8×1012cm-2~3.3×1012cm-2，遷移率為330cm2V-1s-1~547.8cm2V-1s-1。紫外-可見光光度計測試表明其可見光透過率為95.9％（400nm）~97.4%（760 nm）。
　　本文接著基于常規(guī)的旋涂PMM A的石墨烯轉移法，采用“微量丙

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