銅氧化物納米線有序陣列復(fù)合電極制備及電容性能研究.pdf

1、銅氧化物(CuO，Cu2O)被廣泛應(yīng)用于鋰離子電池、光解水制氫、光催化及電化學(xué)儲(chǔ)能等領(lǐng)域，成為功能納米材料的研究熱點(diǎn)之一。本文以銅氧化物納米線陣列為基底，采用簡單的化學(xué)水浴法沉積鈷、鎳氧化物，研究超級(jí)電容器電極材料的電容性能，同時(shí)與活性炭負(fù)極組裝成非對(duì)稱電容器，研究其儲(chǔ)能特性。本文的主要研究結(jié)果如下:
　　(1)以恒電流陽極氧化和空氣煅燒的方法在銅箔表面直接生長銅氧化物納米線陣列?；撞牧显? mA cm-2的電流密度下，面積比電

2、容能達(dá)到96 mF cm-2。隨后通過化學(xué)水浴和Ar氣氛圍中煅燒在銅氧化物納米線表面沉積CoO納米片。其中在5 mmol L-1濃度下制得的CuO/Cu2O@CoO核殼納米線陣列的電容性能最優(yōu)，面積電容可達(dá)到280 mF cm-2。
　　(2)采樣化學(xué)水浴和Ar氣氣氛煅燒的方法，成功在基底材料上負(fù)載NiCo2O4，在20 mmol L-1時(shí)性能最優(yōu)，記為CuO/Cu2O@NiCo2O4-20。在0.5mAcm-2小電流密度下，材料

3、的比電容值能達(dá)到435 mF cm-2，在5 mA cm-2的電流密度下循環(huán)充放電10000圈后，面積比電容仍保留了最初比電容值的93.6％。
　　(3)將CuO/Cu2O@NiCo2O4-20在Ar氣氣氛煅燒前置于葡萄糖溶液浸泡，再進(jìn)行煅燒從而在材料表面形成一層無定型碳。在葡萄糖濃度為15 g L-1時(shí)CuO/Cu2O@NiCo2O4-C材料電容性能提升效果最大。在0.5 mA cm-2的電流密度下，比電容值達(dá)到了655 mF