銅氧化物納米線(xiàn)有序陣列復(fù)合電極制備及電容性能研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩71頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、銅氧化物(CuO,Cu2O)被廣泛應(yīng)用于鋰離子電池、光解水制氫、光催化及電化學(xué)儲(chǔ)能等領(lǐng)域,成為功能納米材料的研究熱點(diǎn)之一。本文以銅氧化物納米線(xiàn)陣列為基底,采用簡(jiǎn)單的化學(xué)水浴法沉積鈷、鎳氧化物,研究超級(jí)電容器電極材料的電容性能,同時(shí)與活性炭負(fù)極組裝成非對(duì)稱(chēng)電容器,研究其儲(chǔ)能特性。本文的主要研究結(jié)果如下:
  (1)以恒電流陽(yáng)極氧化和空氣煅燒的方法在銅箔表面直接生長(zhǎng)銅氧化物納米線(xiàn)陣列。基底材料在1 mA cm-2的電流密度下,面積比電

2、容能達(dá)到96 mF cm-2。隨后通過(guò)化學(xué)水浴和Ar氣氛圍中煅燒在銅氧化物納米線(xiàn)表面沉積CoO納米片。其中在5 mmol L-1濃度下制得的CuO/Cu2O@CoO核殼納米線(xiàn)陣列的電容性能最優(yōu),面積電容可達(dá)到280 mF cm-2。
  (2)采樣化學(xué)水浴和Ar氣氣氛煅燒的方法,成功在基底材料上負(fù)載NiCo2O4,在20 mmol L-1時(shí)性能最優(yōu),記為CuO/Cu2O@NiCo2O4-20。在0.5mAcm-2小電流密度下,材料

3、的比電容值能達(dá)到435 mF cm-2,在5 mA cm-2的電流密度下循環(huán)充放電10000圈后,面積比電容仍保留了最初比電容值的93.6%。
  (3)將CuO/Cu2O@NiCo2O4-20在Ar氣氣氛煅燒前置于葡萄糖溶液浸泡,再進(jìn)行煅燒從而在材料表面形成一層無(wú)定型碳。在葡萄糖濃度為15 g L-1時(shí)CuO/Cu2O@NiCo2O4-C材料電容性能提升效果最大。在0.5 mA cm-2的電流密度下,比電容值達(dá)到了655 mF

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論