大功率壓接式IGBT內(nèi)部芯片并聯(lián)均流的研究.pdf

1、在智能電網(wǎng)的發(fā)展中，安全是電網(wǎng)運(yùn)行的重要前提。但電力來源比較復(fù)雜，除了常規(guī)的水電、火電外，大規(guī)模的新能源接入到了電網(wǎng)中。正由于電力來源的多樣化，給電網(wǎng)的安全、平穩(wěn)運(yùn)行帶來嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。要將這些來源復(fù)雜、大小不均的“粗電”變?yōu)榫鶆?、平穩(wěn)、安全的“精電”，需要IGBT這種半導(dǎo)體裝置發(fā)揮調(diào)節(jié)作用，且其功率越大，能夠承受的電壓區(qū)間也就越廣，調(diào)控能力隨之增強(qiáng)，電網(wǎng)安全性能因此也會越高。
　　在此背景下，研發(fā)大功率壓接式IGBT成為了電網(wǎng)發(fā)展的當(dāng)

2、務(wù)之急。而為了保證壓接式IGBT的可靠性，必須考慮到其內(nèi)部各芯片的電流均衡情況。由于續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性，壓接式IGBT的開通過程中極易出現(xiàn)電流過沖。若再加上內(nèi)部芯片電流不均衡，必然會使得某一芯片電流過大而燒毀，影響了器件和系統(tǒng)的可靠性。因此本文對大功率壓接式IGBT內(nèi)部芯片的電流均衡進(jìn)行了一系列研究:
　　1.分析了壓接式IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及基本特性。
　　2.將影響器件內(nèi)部芯片均流的因素分為兩類，并通過理論分析