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文檔簡介
1、近年來,隨著消費電子的迅速發(fā)展,電源管理芯片的需求越來越大。傳統(tǒng)的低壓差線性穩(wěn)壓器(Low Dropout Regulator,LDO)被廣泛地應用到各種電子產(chǎn)品中。但是由于需要外接大的電容,因此,無片外電容的LDO就隨之發(fā)展。為了解決這個問題,本文對無片外電容的LDO進行深入研究。
無片外電容的LDO的主要模塊有帶隙基準、誤差放大器、阻尼系數(shù)控制(Damping Factor Control,DFC)電路、瞬態(tài)增強電路、反饋
2、網(wǎng)絡和功率管等。誤差放大器是LDO的重要組成部分,第一級采用折疊共源共柵放大器,可以有效的提高系統(tǒng)的環(huán)路增益,第二級采用動態(tài)偏置的源極跟隨器,可以提高誤差放大器的電容驅動能力,提高電路的響應能力。由于系統(tǒng)沒有片外電容,環(huán)路的穩(wěn)定性變差,因此采用一種新的頻率補償方法。阻尼系數(shù)控制DFC是一種將一定頻率導出環(huán)路的頻率補償方法,它是由一個放大器和一個阻尼控制的電容組成,可以有效的提高系統(tǒng)的相位裕度。由于無片外電容的LDO瞬態(tài)響應會變差,本文在
3、系統(tǒng)中增加了瞬態(tài)增強電路,保證電路在負載突變的條件下,電路的瞬態(tài)輸出變化基本保持穩(wěn)定。
本文設計是基于SMIC0.18um的CMOS工藝,采用Cadence的spectre仿真器對電路的各個模塊和系統(tǒng)進行仿真。LDO在電源電壓從2V~4V變化時能穩(wěn)定的輸出1.8V電壓,線性調(diào)整率和負載調(diào)整率1.83 mV/V和0.0022 mV/mA。電路在負載從100uA變化到50mA時,電路的相位裕度從57度變化到67度,基本實現(xiàn)電路的要
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