二維拋物量子點(diǎn)中激子——聲子系統(tǒng)聲子壓縮態(tài)的研究.pdf

1、在過去的幾十年中，對低維材料物理研究變成一個(gè)活躍領(lǐng)域。隨著微加工和納米技術(shù)的發(fā)展，人們已經(jīng)可以制造出量子點(diǎn).由于量子點(diǎn)應(yīng)用前景非常廣泛，這就使得對量子點(diǎn)的研究成為現(xiàn)代物理中的熱點(diǎn)之一。
　　 在本文的第一章里，首先我們對激子進(jìn)行了介紹。其中主要介紹了它的概念和它的物理性質(zhì)。然后，我們對極性半導(dǎo)體中量子點(diǎn)的研究背景和現(xiàn)狀進(jìn)行了介紹，其中我們重點(diǎn)關(guān)注量子點(diǎn)內(nèi)激子研究所取得的成果。最后我們對本文所要研究的工作進(jìn)行了闡述。
　　

2、 在論文的第二章里，首先構(gòu)造出本文所要研究的存在磁場的情況下的二維拋物量子點(diǎn)模型。在第二部分中，得出對應(yīng)的哈密頓量并對其進(jìn)行展開和化簡。第三部分我們對相應(yīng)的哈密頓量進(jìn)行PPL變換。第四部分，我們對哈密頓量中對聲子相關(guān)的部分進(jìn)行壓縮變換處理，并且用求平均值的方法對激子的基態(tài)能量進(jìn)行求解。
　　 第五部分，我們以典型的極性半導(dǎo)體材料GaAs為例，其對應(yīng)的材料參數(shù)被數(shù)值計(jì)算中采用。最后我們獲得了有益的數(shù)據(jù)。結(jié)果表明，量子點(diǎn)內(nèi)的激子—聲

3、子系統(tǒng)的基態(tài)能量隨量子點(diǎn)的束縛頻率的增加而降低。而隨著量子點(diǎn)中磁場強(qiáng)度的增大，量子點(diǎn)中內(nèi)激子—聲子系統(tǒng)的基態(tài)能量隨之升高。同樣，而隨著系統(tǒng)相互作用強(qiáng)度的增大，量子點(diǎn)中內(nèi)激子—聲子系統(tǒng)的基態(tài)能量隨之降低。第六部分，我們給出了激發(fā)態(tài)波函數(shù)和對應(yīng)的能量表達(dá)式，但由于篇幅的限制沒有做具體的計(jì)算。
　　 本文的最后一章，我們總結(jié)了本論文所研究的主要內(nèi)容，并對得到的結(jié)果進(jìn)行了討論與分析。同時(shí)，我們也討論了文章還存在的一些不足，并作出了對未來