納米二硫化鉬的形貌可控合成及其性質(zhì)的研究.pdf

1、類石墨烯二硫化鉬（MoS2)因其獨(dú)特的微觀結(jié)構(gòu)和光電性質(zhì)，在克服零帶隙石墨烯的切點(diǎn)同時依然具有石墨烯的很多優(yōu)點(diǎn)，從而在太陽能電池、場效應(yīng)晶體管、傳感器、能源存儲等眾多領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景。由于其結(jié)構(gòu)的各向異性，不同形貌結(jié)構(gòu)對性能的影響十分顯著，因此，通過改進(jìn)現(xiàn)有方法與工藝，同時不斷開發(fā)新方法和新工藝；改變反應(yīng)的化學(xué)環(huán)境，進(jìn)一步拓展納米結(jié)構(gòu)MoS2的制備技術(shù)，實(shí)現(xiàn)MoS2的調(diào)控制備，可大幅提升其應(yīng)用性能，使之在更廣泛的領(lǐng)域得到應(yīng)用。本文

2、主要致力于在不同環(huán)境下納米結(jié)構(gòu)MoS2的制備，并圍繞所得產(chǎn)物的形貌結(jié)構(gòu)，研究形成機(jī)理，并觀察其光學(xué)性質(zhì)。本論文采用化學(xué)氣相沉積法（CVD）制備薄層的MoS2，通過改變氬氣流速以及S和Mo的化學(xué)計量比來實(shí)現(xiàn)MoS2形貌的調(diào)控制備。具體工作如下。
　　1、研究了生成氣氛的不同而制備出規(guī)則的單層MoS2和樹枝狀MoS2，表明載氣流速對CVD法生長的二硫化鉬薄片的結(jié)構(gòu)和形貌具有強(qiáng)烈影響，并由此來調(diào)控二硫化鉬薄片的光學(xué)特性。
　　2、