半導體納米顆粒載流子的超快弛豫過程.pdf

1、半導體納米材料具有大的非線性系數(shù)及超快的光學響應(yīng)速度，使其有可能成為制作未來高速信息技術(shù)器件最理想的材料。特別是其所具有的超快響應(yīng)特性，有可能突破現(xiàn)有電子器件的響應(yīng)速度限制，從而使信息處理的速度產(chǎn)生質(zhì)的飛躍。近年來，圍繞著半導體納米材料超快響應(yīng)特性，學者們作了大量的實驗和理論工作，對超快響應(yīng)的機制作了深入的研究。針對現(xiàn)有研究現(xiàn)狀中存在的問題，本文對半導體納米材料的超快響應(yīng)特性作了一些理論的探討，主要工作有：
　　 1.簡單介紹了

2、納米材料的主要特性和物理理論，然后對常用的實驗方法進行了說明。
　　 2.建立了載流子弛豫過程的模型。通過分析量子限制效應(yīng)及表面效應(yīng)，總結(jié)了半導體納米顆粒的能級結(jié)構(gòu)，結(jié)合載流子的弛豫特征，發(fā)現(xiàn)載流子的弛豫過程可用電子速率方程來描述。
　　 3.運用數(shù)值模擬方法討論了激發(fā)密度、表面態(tài)密度及俘獲態(tài)電子的弛豫率對弛豫過程的影響。討論結(jié)果表明，激發(fā)密度的增大及表面態(tài)的減少都會導致表面態(tài)上電子的飽和，使導帶上出現(xiàn)電子的積累，導帶電