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1、采用改進(jìn)的 Lee-Low-Pines(LLP)中間耦合方法研究了纖鋅礦ZnO/MgxZn1-xO量子阱材料中的極化子能級(jí)。繪出了在纖鋅礦ZnO/MgxZn1-xO量子阱中系統(tǒng)的基態(tài)能量、躍遷能量、電子-聲子相互作用對(duì)基態(tài)能量的貢獻(xiàn)隨阱寬(d)和組分(x)的變化趨勢(shì)圖。計(jì)算中考慮了兩類聲子模,即定域聲子和界面聲子,同時(shí)還考慮了纖鋅礦ZnO/MgxZn1-xO量子阱中光學(xué)聲子模、介電常數(shù)的各向異性。研究結(jié)果顯示,纖鋅礦ZnO/Mg0.3Z
2、n0.7O量子阱中,隨阱寬d增大,極化子基態(tài)能量、躍遷能量減小。阱寬d約2nm~6nm時(shí),基態(tài)能量急劇下降,阱寬d約6nm~30nm時(shí),下降較為平緩,最后緩慢地接近ZnO體材料值。纖鋅礦ZnO/Mg0.3Zn0.7O量子阱中聲子的總貢獻(xiàn)約50~74meV,所以受到電子-聲子作用后基態(tài)能量降低。對(duì)于定域聲子和界面聲子,對(duì)稱聲子模的貢獻(xiàn)明顯大于反對(duì)稱聲子模的貢獻(xiàn)。界面聲子模的貢獻(xiàn)隨著d的增大而減小,而定域聲子模的貢獻(xiàn)隨著d的增大而增大。在阱
3、寬d約2nm~6nm時(shí),界面聲子模相對(duì)定域聲子模的貢獻(xiàn)大;阱寬6nm~30nm時(shí),定域聲子相對(duì)界面聲子模的貢獻(xiàn)大。阱寬為d=4,8nm的纖鋅礦ZnO/MgxZn1-xO量子阱中,隨組分x(0.1~0.4)的不斷增大,基態(tài)能量、躍遷能量、不同聲子模的貢獻(xiàn)均增大。阱寬d=4nm時(shí)的基態(tài)能量、躍遷能量隨組分x的變化程度明顯大于阱寬8nm時(shí)的相應(yīng)值。纖鋅礦ZnO/MgxZn1-xO量子阱中阱寬4nm時(shí),界面聲子的貢獻(xiàn)大于定域聲子的貢獻(xiàn),阱寬為8
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