21599.纖鋅礦體橫光學(xué)聲子雙模性對alxga1xngan量子阱中電子遷移率的影響

1、學(xué)校代碼：10126分類號：——論文題目學(xué)號：三12壘魚Q12編號：——纖鋅礦體橫光學(xué)聲子雙模性對AkGal捌／GaN量子阱中電子遷移率的影響學(xué)院：物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院專業(yè)：物理學(xué)研究方向：凝聚態(tài)理論姓名：蔣丹丹指導(dǎo)教師：班士良教授2015年4月30日纖鋅礦體橫光學(xué)聲子雙模性對AkGal喵N／7GaN量子阱中電子遷移率的影響摘要本文基于介電連續(xù)模型和單軸模型，采用雷丁平衡方程，討論有限深量子阱中界面聲子和局域聲子對電子的散射作用重點討論室

2、溫下，纖鋅礦AkGal咱N中體橫光學(xué)聲子的雙模性對Al—Gal捌GaN量子阱中電子遷移率的影響研究發(fā)現(xiàn)，若計入體橫光學(xué)聲子的雙模性，則局域光學(xué)聲子對電子遷移率的貢獻隨著Al組分x的增加而逐漸增強，但是，反對稱界面聲子的貢獻則隨著x的增加而先增后減，此外，對稱界面聲子的貢獻持續(xù)降低同時，在合適的異質(zhì)結(jié)組分x范圍內(nèi)，對稱界面聲子始終對電子的散射起主要作用，在各支聲子的共同作用下，總電子遷移率隨x增大呈現(xiàn)先減后增的趨勢與忽略雙模性的結(jié)果對比，