CdZnTe多晶與非晶膜的制備及物理性能的研究.pdf

1、Cd1-xZnxTe（下文均簡稱CZT）晶體由于其優(yōu)良的光電性能，得到了人們的廣泛重視。CdZnTe具有電阻率較高，禁帶寬度Eg比較大，且可調節(jié)，載流子傳輸性能優(yōu)異，漏電流低等特性，因此被視為目前研制常溫核探測器最佳的半導體材料。單晶的CdZnTe生長難度大、代價高，使得生長高品質且比較大的單晶體比較困難，以至于晶體在大范圍探測中的使用被限定，而因為制備CdZnTe薄膜的消耗材料少，而且易于大面積沉積，節(jié)約了成本，使得CdZnTe薄膜已

2、成為一項熱門研究。本文采取射頻磁控濺射法，以Cd0.9Zn0.1Te晶體為靶材，沉積了CdZnTe的多晶薄膜和非晶薄膜，并對其進行了比較研究。進一步使用循環(huán)間歇濺射法制備了CdZnTe厚膜，并對其進行了簡單的研究。
　　本文以物理氣相沉積為基礎，采用磁控濺射方法制備了多晶CdZnTe薄膜，首先研究了磁控濺射工藝參數對CdZnTe薄膜結構及性能的影響，其次在濺射過程中通入少量的氮氣制備了非晶CdZnTe薄膜，并對CdZnTe多晶薄膜

3、和非晶薄膜進行了比較研究。采用X射線衍射儀、原子力顯微鏡、電子探針、紫外可見光分光光度計和半導體測試儀等分析測試了薄膜的結構及性能。結果表明:在濺射過程中功率為80W、氬氣氣壓為2.5Pa、濺射時間為2h，靶間距6.5cm工藝下制備的CdZnTe薄膜結構和性能較好，電阻率達到109Ω·cm;相同條件下制備的多晶和非晶CdZnTe薄膜進行了比較，得到非晶薄膜的禁帶寬度較大，電阻率比多晶的電阻率高103個數量級。
　　若要達到膜探測器