Eu，Gd共摻雜BaFCl體系光激勵(lì)發(fā)光性質(zhì)及機(jī)理問題的研究.pdf

1、為深入了解電子俘獲光存儲(chǔ)材料的光學(xué)性質(zhì)、電子俘獲機(jī)理，進(jìn)一步提高它們的光存儲(chǔ)性能，我們對一些電子俘獲材料進(jìn)行了研究。其中著重討論了Eu、Gd共摻雜BaFCl光存儲(chǔ)材料的光致熒光性質(zhì)和相應(yīng)的光存儲(chǔ)機(jī)制。 采用高溫固相擴(kuò)散反應(yīng)法制備了Eu、Gd共摻雜的BaFCl系列粉末樣品。由X射線衍射譜的分析，證明所制得的系列樣品具有單一的BaFCl物相結(jié)構(gòu)。 用熒光光譜、光激勵(lì)發(fā)光，吸收光譜和差吸收譜的方法研究了電子俘獲材料BaFCl：

2、Eu,Gd的光存儲(chǔ)性質(zhì)及光存儲(chǔ)機(jī)制。測量了樣品的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜，發(fā)現(xiàn)在BaFCl：Eu中摻入少量的Gd時(shí)，Gd3+離子發(fā)射所釋放的能量可以有效的傳遞給Eu2+離子，使BaFCl：Eu的發(fā)光性能得到明顯增強(qiáng)。進(jìn)而測量了不同Gd摻雜濃度(Eu濃度相同)下BaFCl：Eu,Gd樣品的發(fā)射光譜，探討了摻雜濃度對Eu,Gd共摻雜BaFCl體系發(fā)光性能的影響。測量了樣品的光激勵(lì)發(fā)光和經(jīng)紫外光輻照后隨持續(xù)讀出時(shí)間的光激勵(lì)發(fā)光強(qiáng)度的衰減，討論了Gd

3、3+離子的摻入對材料存儲(chǔ)特性的影響。研究了不同Gd摻雜濃度的樣品在X射線輻照前后及不同輻照劑量下的吸收光譜，并進(jìn)而通過對輻照60S和輻照30S時(shí)間下差吸收譜的分析，對各樣品的光存儲(chǔ)性能進(jìn)行了系統(tǒng)的比較研究。通過研究發(fā)現(xiàn)，Gd摻雜濃度對共摻雜材料發(fā)光性能的影響與其對材料光存儲(chǔ)性能的影響基本一致，0.7％mol為Gd的最佳摻雜濃度。還通過吸收光譜和差吸收譜對F/Cl大于1的 BaF1.0Cl0.90：Eu,Gd光存儲(chǔ)性質(zhì)進(jìn)行了對比研

4、究。結(jié)果表明，適當(dāng)提高F/Cl的比值，摻入適量Gd3+離子，既能提高F(Cl-)心的產(chǎn)率，使之與激光器的讀出波長更為匹配，又能提高材料的存儲(chǔ)密度，使得材料的性能得到進(jìn)一步的改善。 此外，作為對電子俘獲光存儲(chǔ)材料體系的拓展研究，我們采用高溫固相反應(yīng)法制備了Ce摻雜的BaBrCl材料。研究了樣品的熒光光譜，經(jīng)X射線輻照前后的吸收光譜及差吸收譜(DAS)。在BaBrCl：Ce中發(fā)現(xiàn)光激勵(lì)發(fā)光。發(fā)射峰及光激勵(lì)發(fā)光峰均位于～390nm；D