B→ρρ衰變過程次領(lǐng)頭階修正研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、B物理一直是粒子物理的熱門領(lǐng)域之一,為了配合高能物理實驗的發(fā)展,要求理論工作者首先就應(yīng)該對衰變道進(jìn)行分析研究,得出理論預(yù)測,以期對實驗有所幫助,此外,還應(yīng)結(jié)合新的實驗數(shù)據(jù)進(jìn)行全面分析來檢驗標(biāo)準(zhǔn)模型。目前,如何處理衰變過程中的QCD效應(yīng)是熱門的話題,在很多方面也有許多成功的理論和模型,其中微擾QCD因子化方法是比較成功的方法之一,它預(yù)言了衰變過程的很多實驗,該方案需要利用B介子電弱衰變的有效哈密頓量和橫動量的因子化理論。
  B介子

2、物理研究的主要困難在于強(qiáng)子矩陣元的計算,盡管有效哈密頓量方法已經(jīng)成熟,但由于強(qiáng)子化過程的非微擾QCD性質(zhì),B介子躍遷形狀因子計算和強(qiáng)子矩陣元計算一直存在較大的理論誤差。而在過去的十年里,大量的關(guān)于B→ M2M3兩體衰變?yōu)槿藗兯鶎W(xué)習(xí),但都只停留在加上領(lǐng)頭階和部分次領(lǐng)頭階貢獻(xiàn)的水平。
  本文主要是利用pQCD因子化方法對B介子到兩個矢量介子衰變過程B→ρρ的研究:首先,對B介子物理的基礎(chǔ)理論知識(包含衰變分枝比和CP破壞)做了簡單的

3、綜述,重點介紹了微擾QCD因子化方法;其次,我們給出了B→ρρ三個道分別在領(lǐng)頭階和次領(lǐng)頭階修正的解析計算,得到衰變分支比和CP破壞的理論值;然后進(jìn)行數(shù)值分析。結(jié)果表明:
 ?、賹τ贐0→ρ+ρ-衰變道,若只考慮領(lǐng)頭階貢獻(xiàn),它的pQCD理論預(yù)言值與Babar,Belle實驗測量數(shù)據(jù)之間存在一定的偏差,但在考慮了次領(lǐng)頭階之后,理論值和實驗值符合得很好。而其他兩個衰變道在加了次領(lǐng)頭階修正后的數(shù)值還有待改善,即并不能和實驗數(shù)據(jù)很好地符合。

4、
 ?、趯τ贐0→ρ+ρ-和B+→ρ+ρ0兩個衰變道,它們的縱向極化分?jǐn)?shù)大約在95~98%,和最新實驗值符合得很好。這兩個衰變道的過程并不存在極化反常的現(xiàn)象。
  ③對于B0→ρ0ρ0衰變道,它的縱向極化分?jǐn)?shù)大約為50%,而兩個橫向分量“N”和“T”占到了一定的比例。
 ?、荜P(guān)于B→ρρ三個衰變道的CP破壞分析,目前實驗現(xiàn)有的數(shù)據(jù)誤差太大,不能嚴(yán)謹(jǐn)?shù)剡M(jìn)行比對。最后,我們對全文做了總結(jié),并對未來B介子物理的發(fā)展做了展望。

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