已閱讀1頁，還剩58頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀
版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領
文檔簡介
1、氧化鋅(ZnO)是一種寬帶隙(室溫下3.3eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體，激子結合能為60meV，具有六方纖鋅礦結構。ZnO薄墨菊有良好的透明導電性、壓電性、光電性、氣敏性和壓敏性，且易于與多種半導體材料實現(xiàn)集成化。由于這些優(yōu)異的性質，使其具有廣泛的用途和許多潛在用途，如聲表面波器件、平面光波導、透明電極、紫外光探測器、壓電器件、壓敏器件、紫外發(fā)光器件和氣敏傳感器等。近年來，對其研究和開發(fā)在國內外科學界及工業(yè)部門引起了極大的關注和興趣。
2、 本文通過采用脈沖激光沉積法在單晶Si(100)襯底上生長了沿c軸高度取向的高質量ZnO薄膜。襯底溫度、環(huán)境氧壓、脈沖頻率是影響薄膜質量非常重要的三個因素。通過AFM、XRD和PL譜測試研究這三個因素對所制備薄膜的表面形貌、結晶性能和光學性質的影響。進行了ZnO薄膜可控生長方面的研究，對ZnO薄膜的制備條件進行了優(yōu)化。 論文進行了ZnO薄膜緩沖層的研究。ZnO與Si襯底失配度較大，所生成ZnO薄膜的質量受到影響。本文引入了緩
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 脈沖激光沉積法制備CZTS薄膜和ZnO薄膜.pdf
- 脈沖激光沉積GaN薄膜及ZnO緩沖層的影響.pdf
- 脈沖激光沉積法制備ZnO薄膜及其光學性質的研究.pdf
- 脈沖激光沉積制備ZnO薄膜及其摻雜研究.pdf
- 脈沖激光沉積制備ZnO薄膜的研究.pdf
- 脈沖激光沉積制備ZnO薄膜及其光電性質研究.pdf
- 脈沖激光沉積ZnO薄膜及其性質研究.pdf
- 脈沖激光沉積制備Cu摻雜ZnO薄膜的研究.pdf
- 脈沖激光沉積法制備CMR薄膜及其特性研究.pdf
- 脈沖激光沉積法制備SmCo薄膜及其性能研究.pdf
- 脈沖激光沉積法制備ZnS薄膜及其性質的研究.pdf
- 脈沖激光沉積制備ZnO薄膜及發(fā)光特性研究.pdf
- 脈沖激光沉積法制備的ZnO薄膜的電抽運隨機激射.pdf
- 脈沖激光沉積制備ZnO薄膜及其結構和發(fā)光特性分析.pdf
- 脈沖激光沉積ZnO薄膜的工藝及其性能的研究.pdf
- 脈沖激光制備ZnO薄膜機理的研究.pdf
- 脈沖激光沉積后硒化法制備CIGS薄膜.pdf
- 脈沖激光沉積（PLD）法制備NiZn鐵氧體多晶薄膜研究.pdf
- 脈沖激光沉積法制備Zn1-xMgxO薄膜及其性能研究.pdf
- 脈沖激光沉積法制備納米薄膜的形膜條件及其性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論