微納發(fā)光器件制備及參數調控研究.pdf

1、納米線/帶具有體積小、表面質量高、光局域能力強等特點，得到了廣泛關注和研究?；诎雽w納米線/帶的納米激光器實現了亞波長尺度的納米相干光源，可應用于集成光子芯片、低功耗光傳感器、高分辨成像探測等領域。目前，采用不同半導體材料制備的納米線/帶激光器覆蓋了從紫外光到近紅外光的整個波段。為了使納米線/帶激光器的功能更加完備，更好地滿足實際應用需求，國際上開展了大量關于納米線/帶激光器參數如波長、模式、偏振、閾值等的調控及優(yōu)化工作。但對于偏振和

2、模式等調控的研究報道尚不多見。同時，目前的參數調控工作一般是在單個納米線/帶激光器中實現某個單一參數的調控，難以集成多參數調控。
　　根據以上研究背景，本論文開展了關于納米線/帶激光器制備和參數調控的研究工作?；诟倪M的VLS方法，制備了多種不同類型的納米線/帶。以此為基礎，提出了石墨烯/納米帶復合結構偏振光源，解決了納米帶激光器輸出光偏振態(tài)的隨機性問題，實現了納米帶激光器的統(tǒng)一TE偏振輸出。為進一步提高納米線/帶激光器的偏振度并

3、在單一激光器中集成更多參數調控功能，擴展納米線/帶激光器功能性，論文提出并設計了具有表面微納結構的新型納米帶，實現了具有橫向發(fā)光、單模、高偏振、低閾值等特性的納米帶激光器。
　　論文第一章概述了納米線/帶激光器的研究現狀，介紹了發(fā)光波長覆蓋紫外光到近紅外光的一系列半導體納米線/帶激光器，并重點圍繞納米線/帶激光器的波長調控、模式調控和偏振調控等方面的研究進行了概述。
　　論文第二章介紹半導體納米線/帶的制備方法和表征方法。首

4、先論述了使用氣體-液體-固體（VLS: Vapor Liquid Solid）方法生長納米線的基本原理，介紹了移動源VLS方法的實驗系統(tǒng)及制備方法，并采用該系統(tǒng)制備了CdS、CdSe、CdTe、CdSSe、Zn3As2等多種納米線/帶樣品。進而，總結了用于納米線/帶結構表征的常用方法和裝置，并論述了對納米線/帶進行光學表征和測試所采用的儀器裝置與測試方法。
　　論文第三章利用石墨烯對不同模式光的吸收差異特性，通過仿真分析設計了石墨

5、烯/納米帶復合結構偏振光源。采用機械剝離法獲得的石墨烯和VLS方法生長的CdSe納米帶制備了復合結構光源。該復合結構光源在熒光和激光狀態(tài)下，其出射光偏振態(tài)均為統(tǒng)一的TE偏振，解決了納米帶光源輸出光偏振態(tài)的隨機性問題。
　　第四章中為提高納米線/帶激光器的輸出光偏振度并在單個納米線/帶激光器中實現多參數調控功能，通過仿真分析設計了具有線型和帶型表面微結構的橫向發(fā)光納米帶激光器。采用生長參量控制的VLS方法制備了具有表面微結構的CdS