半導(dǎo)體納米線-微米線器件的制備及性能研究.pdf

1、寬禁帶直接帶隙半導(dǎo)體材料(如CdS、ZnO、GaN等)擁有著優(yōu)異的光電性能，另外纖鋅礦的晶體結(jié)構(gòu)使它們都具有壓電特性。隨著半導(dǎo)體光電器件越來越往微型化發(fā)展，基于這些材料的微納器件愈加受到關(guān)注。基于它們而構(gòu)筑的場效應(yīng)晶體管、LED、光泵浦激光器、電泵浦激光器、光電探測器等微納器件一直是國內(nèi)外的研究熱點(diǎn)。本文使用化學(xué)氣相沉積方法制備了CdS納米帶、GaN納米線、以及GaN微米線，水熱生長了圖案化的ZnO納米線陣列。主要內(nèi)容如下：
　　

2、1、用CdS為源，通過化學(xué)氣相沉積方法以VLS機(jī)制生長了CdS納米帶。用Ga2O3作鎵源，NH3作氮源，通過化學(xué)氣相沉積以VS機(jī)制在陶瓷舟上外延生長了GaN微米線，以VLS機(jī)制在鍍金硅片上生長了GaN納米線。結(jié)合光刻等微加工技術(shù)在ITO基底和N-GaN基底上分別水熱生長了ZnO納米線陣列和單根ZnO微米線陣列。用SEM、XRD、PL等手段對生長的材料進(jìn)行結(jié)構(gòu)性能的表征。
　　2、研究了CdS納米帶和GaN微米線光泵浦激光激發(fā)的性質(zhì)

3、，其中CdS納米帶光泵浦激光為FP模式，擁有約為70kW/cm2的激發(fā)閾值，且隨著CdS納米帶諧振腔長度的增加，激發(fā)出的激光峰位會(huì)有紅移。GaN微米線光泵浦激光為WGM模式，其激發(fā)閾值接近280kW/cm2。用GaN微米線制備了GaN微米線/P-GaN的同質(zhì)結(jié)LED，分析了其電致光譜的機(jī)理。
　　3、制備了圖案化ZnO納米線陣列的OLED器件，它可以通過使用ITO/PET基底做成柔性，ZnO納米線陣列圖形控制器件的垂直分辨率(從3