三維晶體相場法模擬應力作用下晶體的預熔及熔解.pdf

1、由于晶界的預熔化可以改變多晶材料的宏觀性能，所以引起了科學家的重視。然而晶界卻是只有幾個原子層厚的，從而使得在現有的實驗條件下，很難觀察到這些較微觀的現象，所以研究者們決定使用功能強大的計算機模擬軟件技術，以此彌補這種由于樣品尺寸而引起的實驗缺點。對于性能提高的材料，為了開發(fā)預測該材料的功能特性，以及為了該材料的預熔和熔解的現象，很有必要建立一種從微觀尺度出發(fā)的數值模擬技術。本文采用三維晶體相場方法，研究溫度在固-液共存區(qū)域下小角度對稱

2、傾側晶界，預熔及熔解狀態(tài)下應力作用的位錯運動過程以及現象，探索位錯運動的機理，研究位錯熔解半徑與溫度的關系，主要成果如下:
　　1.制備樣品到達一定溫度時，△B=0.0250，位錯出現明顯熔解現象，并且隨著溫度△B的升高，位錯向外熔解的區(qū)域不斷擴大，熔解半徑不斷增大，說明體系在接近熔點溫度時晶界處的位錯首先誘發(fā)晶界出現預熔化現象，當熔解趨于穩(wěn)定后在應力作用下，同一水平直線上的一組位錯對相互靠近，最終湮滅變?yōu)橐粋€完整晶界;當溫度△B

3、更高時，△B＞0.0250，位錯出現更加明顯的熔解，并且隨著溫度△B的升高，位錯向外熔解的區(qū)域也不斷擴大，熔解半徑也不斷增大，由此可以得到，體系的溫度決定了位錯的熔解程度，體系溫度越高，就越容易發(fā)生熔解現象。但是，熔解現象不僅是在熔點處發(fā)生的，而是在低于熔點時就在晶體的缺陷處產生了預熔，當熔解趨于穩(wěn)定后在應力作用下，同一水平直線上的一組位錯對相互靠近，最終連通。
　　2、對樣品施加X軸單向應力時，位錯對彼此靠近，相互吸引，最終連通

4、，位錯對由升溫穩(wěn)定后的圓形逐漸被X軸壓縮變?yōu)楸鈭A形;相反對樣品施加Y軸單向應力時，位錯對由升溫穩(wěn)定后的圓形逐漸被Y軸拉伸變?yōu)楸鈭A形，但位錯對并不相互吸引。但是這兩種作用方式的自由能曲線趨勢相同，證明其運動機理相同。
　　3、對樣品施加剪切應力后，位錯對在X軸方向做滑移運動，在Y軸方向攀移做攀移運動，對錯對依舊是相互吸引彼此靠近。由模擬結果可以得出越靠近原子層中心截面圖中位錯對越多，其熔解區(qū)域也越小，熔解半徑也越小，熔解發(fā)生的越劇烈