ITO表面上金薄膜的電化學制備及表征.pdf

1、金納米材料因其獨特的光電特性、催化特性以及良好的生物相容性與導電性,在電子學、光學、傳感、電化學催化、生物醫(yī)學等諸多領域有著廣泛應用。本論文通過恒電流法在氧化銦錫(ITO)導電玻璃表面上制備了金納米薄膜并研究了退火工藝對其影響。在磷酸電解液中,二次陽極氧化制備了多孔陽極氧化鋁(AAO)模板,對其制備工藝進行了一定程度的優(yōu)化。利用X射線衍射(XRD),掃描電子顯微鏡(SEM)和實驗室自組裝的吸收光譜測試系統(tǒng)對材料進行了表征。本文的主要研究

2、內容及研究結論如下:
　　1、通過恒電流法在ITO表面上制備出由粒徑為45nm左右的單分散、球形金納米粒子構成的金納米薄膜。電沉積過程中,生成的金納米結構有著豐富的(111)晶面,且這些界面取向往往優(yōu)先平行于ITO表面。ITO表面上的金納米薄膜的表面等離子共振吸收峰在583nm左右。
　　2、在空氣中,350℃條件下,對ITO玻璃進行不同時間的退火處理,改變了ITO玻璃的表面形貌,增大了其電阻率,使得恒電流法在其表面上沉積的

3、金納米粒子發(fā)生聚集,金納米粒子呈線性增長,形成連接型金納米粒子。隨著退火時間的增加,ITO表面上沉積的金納米粒子的密度增大,對應的等離子共振吸收峰發(fā)生紅移。
　　3、以0.05wt％的稀磷酸作電解液,鋁片作陽極,釕鈦網(wǎng)作陰極,在200V電壓下,通過二次陽極氧化的方法獲得了天藍色的多孔陽極氧化鋁(AAO)模板。一次陽極氧化0.5h的鋁片表面具有條狀結構缺陷,且孔洞的大小與深度都不均勻。隨著一次氧化時間的增加,孔密度增大,條狀結構缺陷