VFTO波形及磁環(huán)抑制的研究.pdf

1、VFTO波形受運(yùn)行方式，隔離開(kāi)關(guān)位置以及變電站結(jié)構(gòu)參數(shù)影響，不同運(yùn)行方式下VFTO波形變化較大，需要對(duì)不同運(yùn)行方式下操作不同隔離開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的VFTO波形變化特點(diǎn)做分析，同時(shí)對(duì)于磁環(huán)抑制VFTO這一措施，需要提出磁環(huán)等效參數(shù)的計(jì)算方法來(lái)進(jìn)行仿真研究，并對(duì)磁環(huán)在變電站中的應(yīng)用展開(kāi)深入研究。
　　本文運(yùn)用EMTP軟件搭建了GIS各構(gòu)件的仿真模型，在此基礎(chǔ)上對(duì)252kV湛江變電站搭建了仿真回路，仿真對(duì)比了多種操作方式下的隔離開(kāi)關(guān)電源側(cè)和負(fù)

2、載側(cè)的VFTO波形，確定選擇負(fù)載側(cè)波形作為典型波形，并總結(jié)了GIS隔離開(kāi)關(guān)操作的四種運(yùn)行方式，分別對(duì)500kV猴子巖和750kV西山變電站的四種運(yùn)行方式中不同隔離開(kāi)關(guān)操作產(chǎn)生的VFTO波形的特征參量進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，總結(jié)得出VFTO波形的變化規(guī)律，并得到了隔離開(kāi)關(guān)電源側(cè)和負(fù)載側(cè)的母線長(zhǎng)度對(duì)VFTO最大峰值的影響規(guī)律。
　　為研究磁環(huán)抑制VFTO的特點(diǎn)，對(duì)磁環(huán)不同材料的應(yīng)用特點(diǎn)，對(duì)VFTO起抑制作用的主要特性做了分析，并結(jié)合磁環(huán)材料特性

3、，提出磁環(huán)等效模型的參數(shù)計(jì)算方法，運(yùn)用此方法得到的衰減后的VFTO波形與實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了比對(duì)，仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本一致。
　　搭建了1000kV福州變電站的仿真回路，在此基礎(chǔ)上研究磁環(huán)位置對(duì)抑制效果的影響，得出在隔離開(kāi)關(guān)負(fù)載側(cè)安裝磁環(huán)的等效電阻為250歐姆，電感為0.2mH時(shí)VFTO幅值衰減了26.8％，而在避雷器和母線間安裝磁環(huán)時(shí)VFTO幅值衰減了23.5％，在隔離開(kāi)關(guān)負(fù)載側(cè)和避雷器附近同時(shí)安裝磁環(huán)，不僅可將隔離開(kāi)關(guān)負(fù)載側(cè)磁環(huán)的等效