硅納米結(jié)構(gòu)制備及其在傳感器件上的應(yīng)用.pdf

1、氣體傳感器由于可以檢測(cè)氫氣、氨氣等易燃易爆、有毒氣體，而被廣泛應(yīng)用。硅納米線是新型的一維半導(dǎo)體材料，在光學(xué)、電學(xué)上有其特殊的性質(zhì)，與普通硅材料相比，它的光學(xué)特性好、化學(xué)性質(zhì)活潑，在實(shí)際應(yīng)用中存在較為明顯的優(yōu)勢(shì)。因此，基于硅納米結(jié)構(gòu)的氣體傳感器，具有非常好的應(yīng)用前景，逐漸受到一些科研學(xué)者的關(guān)注。
　　生長(zhǎng)硅納米結(jié)構(gòu)的方法有：激光燒蝕法，模板法，化學(xué)氣相沉積法(CVD)，熱蒸發(fā)法，溶液法等等。本文使用高溫管式爐，采用化學(xué)氣相輸運(yùn)方法在

2、藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)了高密度的硅納米結(jié)構(gòu)膜，互相交織的硅納米棒構(gòu)成了這種硅納米結(jié)構(gòu)膜，納米棒長(zhǎng)度可達(dá)到微米量級(jí)，直徑約為100nm。通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線能譜儀（EDS）等方法對(duì)硅納米結(jié)構(gòu)膜形貌的表征結(jié)果，分析了催化劑厚度、襯底位置對(duì)制備硅納米結(jié)構(gòu)膜的影響。當(dāng)金層厚度相對(duì)厚時(shí)，很難長(zhǎng)成硅納米結(jié)構(gòu)膜；當(dāng)金層為10nm左右時(shí)，利于硅納米結(jié)構(gòu)膜的生長(zhǎng)。通過(guò)SEM圖像，得出襯底的擺放位置不同，形成的硅納米結(jié)構(gòu)膜的形貌有所不同。通過(guò)ED